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贴片电容的分类有哪一些呢？
发布时间：2021-06-18 18:47:07
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贴片电容的分类首要为四种：NPO电容器、X7R电容器、Z5U电容器、Y5V电容器。
差异：NPO、X7R、Z5U和Y5V的首要差异是它们的填充介质不同。在相同的体积下因为填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
1、贴片电容的分类一：NPO电容器
NPO是一种 常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗 稳定的电容器之一。在温度从-55℃到125℃时容量改变为0±30ppm/℃，电容量随频率的改变小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是能够忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的改变小于±0.1%。NPO电容器随封装方式不同其电容量和介质损耗随频率改变的特性也不同，大封装尺度的要比小封装尺度的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量规模。
封装DC=50VDC=100V
08050.5---1000pF0.5---820pF
12060.5---1200pF0.5---1800pF
1210560---5600pF560---2700pF
22251000pF---0.033μF1000pF---0.018μF
NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。
2、贴片电容的分类二：X7R电容器
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到125℃时其容量改变为15%，需要注意的是此时电容器容量改变对错线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时刻的改变而改变，大约每10年改变1%ΔC，表现为10年改变了约5%。
X7R电容器首要应用于要求不高的工业应用，并且当电压改变时其容量改变是能够承受的条件下。它的首要特点是在相同的体积下电容量能够做的比较大。下表给出了X7R电容器可选取的容量规模。
封装DC=50VDC=100V
0805330pF---0.056μF330pF---0.012μF
12061000pF---0.15μF1000pF---0.047μF
12101000pF---0.22μF1000pF---0.1μF
22250.01μF---1μF0.01μF---0.56μF
3、贴片电容的分类三：Z5U电容器
Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首要需要考虑的是使用温度规模，关于Z5U电容器首要的是它的小尺度和低成本。关于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有更大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率更大可达每10年下降5%。
尽管它的容量不稳定，因为它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、杰出的频率响应，使其具有广泛的应用规模。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U电容器的取值规模。
封装DC=25VDC=50V
08050.01μF---0.12μF0.01μF---0.1μF
12060.01μF---0.33μF0.01μF---0.27μF
12100.01μF---0.68μF0.01μF---0.47μF
22250.01μF---1μF0.01μF---1μF
Z5U电容器的其他技术指标如下:
工作温度规模10℃---85℃
温度特性22%-----56%
介质损耗更大4%
4、贴片电容的分类四：Y5V电容器
Y5V电容器是一种有必定温度约束的通用电容器，在-30℃到85℃规模内其容量改变可达22%到-82%。
Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺度下制造出高达4.7μF电容器。
Y5V电容器的取值规模如下表所示
封装DC=25VDC=50V
08050.01μF---0.39μF0.01μF---0.1μF
12060.01μF---1μF0.01μF---0.33μF
12100.1μF---1.5μF0.01μF---0.47μF
22250.68μF---2.2μF0.68μF---1.5μF
Y5V电容器的其他技术指标如下:
工作温度规模-30℃---85℃
温度特性22%-----82%
介质损耗更大5%
不同的公司命名办法可能略有不同。
差异：NPO、X7R、Z5U和Y5V的首要差异是它们的填充介质不同。在相同的体积下因为填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
1、贴片电容的分类一：NPO电容器
NPO是一种 常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗 稳定的电容器之一。在温度从-55℃到125℃时容量改变为0±30ppm/℃，电容量随频率的改变小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是能够忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的改变小于±0.1%。NPO电容器随封装方式不同其电容量和介质损耗随频率改变的特性也不同，大封装尺度的要比小封装尺度的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量规模。
封装DC=50VDC=100V
08050.5---1000pF0.5---820pF
12060.5---1200pF0.5---1800pF
1210560---5600pF560---2700pF
22251000pF---0.033μF1000pF---0.018μF
NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。
2、贴片电容的分类二：X7R电容器
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到125℃时其容量改变为15%，需要注意的是此时电容器容量改变对错线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时刻的改变而改变，大约每10年改变1%ΔC，表现为10年改变了约5%。
X7R电容器首要应用于要求不高的工业应用，并且当电压改变时其容量改变是能够承受的条件下。它的首要特点是在相同的体积下电容量能够做的比较大。下表给出了X7R电容器可选取的容量规模。
封装DC=50VDC=100V
0805330pF---0.056μF330pF---0.012μF
12061000pF---0.15μF1000pF---0.047μF
12101000pF---0.22μF1000pF---0.1μF
22250.01μF---1μF0.01μF---0.56μF
3、贴片电容的分类三：Z5U电容器
Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首要需要考虑的是使用温度规模，关于Z5U电容器首要的是它的小尺度和低成本。关于上述三种陶瓷单片电容起来说在相同的体积下Z5U电容器有更大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大，它的老化率更大可达每10年下降5%。
尽管它的容量不稳定，因为它具有小体积、等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）低、杰出的频率响应，使其具有广泛的应用规模。尤其是在退耦电路的应用中。下表给出了Z5U电容器的取值规模。
封装DC=25VDC=50V
08050.01μF---0.12μF0.01μF---0.1μF
12060.01μF---0.33μF0.01μF---0.27μF
12100.01μF---0.68μF0.01μF---0.47μF
22250.01μF---1μF0.01μF---1μF
Z5U电容器的其他技术指标如下:
工作温度规模10℃---85℃
温度特性22%-----56%
介质损耗更大4%
4、贴片电容的分类四：Y5V电容器
Y5V电容器是一种有必定温度约束的通用电容器，在-30℃到85℃规模内其容量改变可达22%到-82%。
Y5V的高介电常数允许在较小的物理尺度下制造出高达4.7μF电容器。
Y5V电容器的取值规模如下表所示
封装DC=25VDC=50V
08050.01μF---0.39μF0.01μF---0.1μF
12060.01μF---1μF0.01μF---0.33μF
12100.1μF---1.5μF0.01μF---0.47μF
22250.68μF---2.2μF0.68μF---1.5μF
Y5V电容器的其他技术指标如下:
工作温度规模-30℃---85℃
温度特性22%-----82%
介质损耗更大5%
不同的公司命名办法可能略有不同。
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