实际绕制无感线绕电阻时有以下几种方法绕制。 种是在瓷管或电阻支架先顺绕1/2的电阻，然后再反绕，这样从理论上可实现前面1/2的电阻线圈产生的磁场与后1/2电阻线圈产生的磁场正好相反，可相互抵消，制成无感电阻。但实际证明这种绕制方法因二电阻线圈位置相差一定距离，所以效果不是很好，电感量减少不明显，这样制作的无感电阻一般适用于400HZ以下电路中低阻值的线绕电阻。 第二种是双线并线方法，采用二根电阻丝在瓷管或电阻支架进行双线并绕，每段各绕1/2的阻值，把一端二根电阻丝相联，另一端二根分开作为无感电阻的引出端。这样制作的无感电阻较好，电感量也很小，但这样绕制的电阻在工艺上存在几个问题，一是二根电阻线之间需相互绝缘；二是因在同一端引出，所以对匝与匝之间的绝缘要求较高，在实际应用中只适用低电压、低阻值无感电阻制作。 第三种是采用十字绕法制作无感电阻，能将高阻值的线绕电阻制作成高质量高阻值无感线绕电阻。 可以分别测量该电阻在直流电和交流电两种情况下的阻值是否相等来判断。如果相等，则为无感电阻。 无感电阻与一般电阻相比，有以下优点： 1.电阻本身的电感值很小（仅为几微亨），频率响应特性优异，除可广泛用于交、直流电路外，还适用于中、高频电路中。 2.伏安特性为线性，电气性能稳定、耐高压，有良好的绝缘性能。 3.过载能力强，特别适用于间歇式供电和脉冲大电流的电路。 4.电阻温度特性良好，适用温度范围较宽。 5.机械强度高，可耐冷、热冲击。

什么是磁敏电阻 磁敏电阻是一种对磁敏感、具有磁阻效应的电阻元件。物质在磁场中电阻发生变化的现象称为磁阻效应。磁敏电阻通常用锑化铟（InSb）或砷化铟（InAs）等对磁具有敏感性的半导体材料制成。半导体材料的磁阻效应包括物理磁阻效应和几何磁阻效应，其中物理磁阻效应又称为磁电阻率效应。 当外加磁场的方向或强度发生变化时，磁敏电阻的阻值相应改变，利用该变化，可精确地测试出磁场的相对位移。例如，在一个长方形半导体InSb片中，沿长度方向有电流通过时，若在垂直于电流片的宽度方向上施加一个磁场，半导体InSb片长度方向上就会发生电阻率增大的现象。 磁敏电阻结构的特点 磁敏电阻是利用某些材料电阻的磁敏效应制成的，其外形结构如下图（a）所示。磁敏电阻都做成片状，长、宽尺寸只有几毫米。为了提高灵敏度，电阻体经常做成弯弯曲曲的形状，并通过光刻等方法形成栅状的短路条。磁敏电阻多采用片形膜式封装结构，有两端和三端（内部有两只串联的磁敏电阻）之分。 磁敏电阻有哪些应用_磁敏电阻主要应用于什么场合磁敏电阻有哪些应用磁敏电阻是利用半导体的磁阻效应制造的，常用InSb（锑化铟）材料加工而成。半导体材料的磁阻效应包括物理磁阻效应和几何磁阻效应。其中物理磁阻效应又称为磁电阻率效应。在一个长方形半导体InSb片中，沿长度方向有电流通过时，若在垂直于电流片的宽度方向上施加一个磁场，半导体InSb片长度方向上就会发生电阻率增大的现象。这种现象就称为物理磁阻效应。几何磁阻效应是指半导体材料磁阻效应，与半导磁敏电阻的用途颇广。 1．作控制元件 可将磁敏电阻用于交流变换器、频率变换器、功率电压变换器、磁通密度电压变换器和位移电压变换器等等。 2．作计量元件 可将磁敏电阻用于磁场强度测量、位移测量、频率测量和功率因数测量等诸多方面。 3．作模拟元件 可在非线性模拟、平方模拟、立方模拟、三次代数式模拟和负阻抗模拟等方面使用。 4．作运算器 可用磁敏电阻在乘法器、除法器、平方器、开平方器、立方器和开立方器等方面使用。 5．作开关电路 在接近开关、磁卡文字识别和磁电编码器等方面。 图3是磁敏电阻作为接近开关使用的典型应用电路。在这里，为了提高检测灵敏度，在选用锑化铟磁敏电阻时，应选用磁阻比值较大的，或采用磁能积较大的 磁铁。图4是采用三端差分型磁敏电阻组成的识别磁性油墨浓度、文字、图形等的识别电路，它能输出O．1～1．5mV的电平，当频率在100～5000Hz的范围内．可得到约90dB的增益。 磁敏电阻有哪些应用 6．作磁敏传感器 用磁敏电阻作核心元件的各种磁敏传感器，其工作原理都是相同的．只是根据用途、结构不同而种类各异。