压敏电阻（MOV）是以氧化锌（ZnO）为主要成分的非线性电阻元件，该元件浪涌电流耐量及非线性系数非常大，在阀值电压以下时，电阻非常高，几乎没有电流流过，如果超过该阀值电压，电阻急剧降低，可以泄放大电流，由于这种特性，作为电子、电气设备的保护元件，对异常电压的吸收，雷击浪涌的吸收等发挥着很大的作用。 压敏电阻一般并联在电路中使用，当电阻两端的电压发生急剧变化时，电阻短路将电流保险丝熔断，起到保护作用。压敏电阻在电路中，常用于电源过压保护和稳压。 1.压敏电压UN（U1mA）：通常以在压敏电阻上通过1mA直流电流时的电压来表示其是否导通的标志电压，这个电压就称为压敏电压UN。压敏电压也常用符号U1mA表示。压敏电压的误差范围一般是±10%。在试验和实际使用中，通常把压敏电压从正常值下降10%作为压敏电阻失效的判据 2. 大持续工作电压UC：指压敏电阻能长期承受的 大交流电压（有效值）Uac或 大直流电压Udc。一般Uac≈0.64U1mA，Udc≈0.83U1mA 3. 大箝位电压（限制电压）VC： 大箝位电压值是指给压敏电阻施加规定的8/20μs波冲击电流IX（A）时压敏电阻上呈现的电压。 4.漏电流Il：给压敏电阻施加 大直流电压Udc时流过的电流。测量漏电流时，通常给压敏电阻加上Udc=0.83U1mA的电压（有时也用0.75U1mA）。一般要求静态漏电流Il≤20μA（也有要求≤10μA的）。在实际使用中，更关心的不是静态漏电流值本身的大小，而是它的稳定性，即在冲击试验后或在高温条件下的变化率。在冲击试验后或在高温条件下其变化率不超过一倍，即认为是稳定的 作为一种应用范围十分广泛的压敏电阻器，过压保护压敏电阻也经常被用于保护可控硅整流器之中，那么根据通流容量的不同，我们应该怎样选取合适的过压保护压敏电阻器呢一般情况下，3kA的压敏电阻型号通常会被用在电器设备的浪涌吸收上，而5kA的电阻型号则多被用在对雷击及电子设备的过电压吸收上，10kA的则会被用在对雷击的保护上。这里我们以雷击保护为例来进行说明。 通常在测试时，我们会选择常用综合波（发生器开路输出时产生1.2/50μs的电压波；短路输出时产生8/20μs的电流波；发生器的内阻为2Ω）来在线考核设备对抗雷击浪涌干扰的能力。在4kV试验时，过压保护压敏电阻吸收的电流可达2kA，对6kV的试验，吸收电流值为3kA。但在实际选择时，还应当适当加大所选过压保护压敏电阻的通流容量。

提及薄膜精密晶片电阻，薄膜晶片电阻器（RTR）是用类蒸发的方法将一定电阻率材料蒸镀于绝缘材料表面制成，一般这类电阻常用的绝缘材料是陶瓷基板。 薄膜电阻器是高精度电阻器的一种，它采用类蒸发的方法将一定电阻率材料蒸镀于绝缘材料表面制成，一般这类电阻常用的绝缘材料是陶瓷基板。我们常说的高精度低温漂贴片电阻一般就指的是薄膜贴片电阻器，包括常见的千分之一电阻和万分之一电阻。 厚膜贴片电阻，又称：片式固定电阻器，采用厚膜工艺印刷而成，这种电阻有多种形状，包括带型、曲线形、长方形等。主要在功率电阻和精密电阻的制造中应用较多。这种电阻耐潮湿、高温、温度系数小、体积小，重量轻。 常规厚膜片式电阻生产流程：原材料准备基片浆料丝网→正背面导体印刷→导体烧结烘干→电阻印刷→电阻体烧结→玻璃层印刷→玻璃层烧结→镭射切割→保护层印刷→保护层硬化→字码印刷→分条→端银/溅镀→端头硬化→折粒/电镀→测试→编带包装。 薄膜精密晶片电阻，怎么区分电阻是薄膜式还是厚膜式薄膜电阻和厚膜电阻是使用较多的一种类型电阻，薄膜电阻是现在主流的贴片精密电阻器，但是如何区分这两种电阻呢 1、根据膜厚 厚膜电阻的膜厚一般大于10μm，薄膜的膜厚小于10μm，大多处于小于1μm;2、根据制造工艺厚膜电阻一般采用丝网印刷工艺，薄膜电阻采用的是真空蒸发、磁控溅射等工艺方法。 3、根据精度 薄膜精密晶片电阻，厚膜电阻一般精密程度不高，多数是1%、5%、10%等，而薄膜电阻则可以做到0.01%精度，0.1%精度等；4、根据温度系数厚膜电阻的温度系数上很难控制，一般较大，但是薄膜电阻则可以做到非常低的温度系数，如5PPM/℃，10PPM/℃这样电阻阻值随温度变化非常小，阻值稳定可靠，因此价格相对厚膜电阻来说会比较贵一些。因此：当温度系数和精度要求高时，就使用薄膜工艺的电阻，如果是一般要求使用厚膜工艺的电阻即可。