要找到适当的M电容是越来越难了。从长远来看,厂商可以通过增加生产线来解决这一问题。然而,这对许多目前急需这些物料的客户而言,依然是远水不解近渴。在与产品经理交谈时,我们讨论了将一些客户从M电容过渡到钽电容的可能性。虽然这不是 的建议,但我们确实得到了一些积极的反馈,来自Kemet公司的提出了一些可供客户参考的建议。以下是他为KO-CAP(有机聚合物电容器)的Kemet系列制作的幻灯片。 如果你正在考虑将M电容替换成钽电容,就需要关注列出的几个关键参数。我将其总结如下。 电容值 在封装尺寸相同的情况下,钽电容的电容值往往大于M电容。截至本文发表时,Digi-Key电容的 小电容值是0.47uF。上图显示的是680nF,因为这是目前提供的电容值 小KO系列电容。如果你需要低于此值的电容,则不建议你使用钽电容。钽电容的一个优势在于，一个钽电容可代替一组M电容，从而节约了成本和空间。 电压 在使用钽电容时,对于电压会有些限制。当电压超过35V时,许多钽电容就会被视为高压。这意味着,如果你的工作电压大于50V,那么想要将M替换成钽电容可能不是可行的解决方案。 等效串联电阻 在等效串联电阻指标上,M的等级通常低于同等的钽对标物料。现在有了较低等效串联电阻的钽电容,但如果等效串联电阻对你而言优先级较高,那么你可能难以从M电容过渡到钽电容。 频率 在查看钽电容时，你需要注意其自谐振频率。如果你操作的开关频率高于1MHz,则可能会超出钽电容的上限。 反向偏置电压 钽电容为极化电容,因此不能承受反向偏置电压。如果要将电容放在可能存在反向偏置或需要承受反向偏置的位置,则不适合使用钽电容。 的结论：由此可以看出,替换电容是可能的,尽管有时不可用或不可行。如果你正处于缺少M的困境中并想寻求解决方案,那么本文可为你提供一些参考。

(1)原料要精选 影响高压陶瓷电容器质量的因素，除瓷料组成外，优化工艺制造、严格工艺条件是非常重要的。因此，对原料既要考虑成本又要注意纯度，选择工业纯原料时，必须注意原料的适用性。 (2)熔块的制备 熔块的制备质量对瓷料的球磨细度和烧成有很大的影响，如熔块合成温度偏低，则合成不充分。对后续工艺不利。如合成料中残存Ca2+，会阻碍轧膜工艺的进行：如合成温度偏高，使熔块过硬，会影响球磨效率：研磨介质的杂质引入，会降低粉料活性，导致瓷件烧成温度提高。 (3)成型工艺 成型时要防止厚度方向压力不均，坯体闭口气孔过多，若有较大气孔或层裂产生，会影响瓷体的抗电强度。 (4)烧成工艺 应严格控制烧成制度，采取性能优良的控温设备及导热性良好的窑具。 (5)包封 包封料的选择、包封工艺的控制以及瓷件表面的清洁处理等对电容器的特性影响很大。冈此，必须选择抗潮性好，与瓷体表面密切结合的、抗电强度高的包封料。目前，大多选择环氧树脂，少数产品也有选用酚醛脂进行包封的。还有采取先绝缘漆涂覆，再用酚醛树脂包封方法的，这对降低成本有一定意义。大规模生产线上多采用粉末包封技术。