曾经总以为独石电容器不像电解电容那样，电解液干燥失效而致使容量下降，总想着它在规则的条件下运用基本上不存在寿数疑问，虽然之前呈现过美的电风扇遥控失效由于降压电容容量下降致使，也仅仅想着美的用的电容质量疑问罢了，没有深究。 这次做高频焊接机，在作业中发现逆变板有些有“啦、啦、啦”的异响，开端想着是温度过高热胀冷缩致使的，底子没有置疑过CBB电容，由于我采用的CBB电容是德国WIMA的拆机件，进口名牌。屡次试验，近距离的听才发现，是这个WIMACBB电容发出的声响，而这个“啦、啦”声即是典型的CBB放电自愈的声响，洪亮而频繁。马上对CBB电容做容量及耐压测验，发现容量基本上都在标称范围内，从3.2~3.3uF，标称即是3.3uF，而关于600V的直流耐压标称测验，高压测验仪 的只能到达500V，许多都在300V都呈现放电自愈景象，凶猛的也呈现了“啦、啦”之声。 从试验的数据来看，同一批类型的拆机电容，容量越低的，耐压越低，容量越高的，耐压越高一些，这个说明晰一点，放电自愈损害了电容金属化的表面积，致使容量下降。 之后进行拆解，发现独石电容器外表层损害十分凶猛，简直一片的放电致使的损害，越到内部，越好一些，这个也许跟外包装密封程度，水汽进入有关。 查找了网络上的各种说法，以为CBB电容长时间的作业，会致使金属化镀层的蒸腾然后缩小了容量，若作业温度对比高的，还会致使金属化镀层的掉落景象。 从这些试验来看，致使独石电容器失效，容量下降，耐压下降有以下几点： 1、电容密封不行，水汽进入致使氧化，耐压下降。 2、长时间刹那间电流过大，电压过高，内部放电自愈致使容量下降。 3、长时间高负荷作业，金属镀层的蒸腾致使容量下降。 处理的办法如下： 1、收购名牌独石电容器电容，质量有确保。 2、尽也许的高标准运用，比方安规电容X2通常标称275VAC，但实际上刹那间测验上1KV都是能够接受的了，质量十分好，拆机电容中，安规电容无论是高压测验仍是物理分解都十分美丽。 3、并联合理的压敏电阻，避免冲击电压过高，听说此法对比有用，有条件下降刹那间电流，通常在答应的范围内，串联电阻。 独石电容器故障判断 独石电容失效的原因分析 导致独石电容失效的原因如下：1）介质击穿（未自愈）；2）介质材质因环境、温度等因素改变；3）内部回路、端子断裂、损坏。 还有一点就是对于电子线路电容器除以上原因外、过压也可导致失效，因此好品质的独石电容是很重要的，独石电容的温度特性好，频率特性好，一般电容随着频率的上升，电容量呈现下降的规律，独石电容下降比较少，容量比较稳定。

电容为基本物理量，符号C，单位为F（法拉）。电容器与电容不同，电容器，通常简称其容纳电荷的本领为电容，用字母C表示。定义1：电容器，顾名思义，是‘装电的容器’，是一种容纳电荷的器件。英文名称：capacitor。电容器是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于电路中的隔直通交，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制等方面。定义2：电容器，任何两个彼此绝缘且相隔很近的导体（包括导线）间都构成一个电容器。 耦合电容，又称电场耦合或静电耦合，是由于分布电容的存在而产生的一种耦合方式。耦合电容器是使得强电和弱电两个系统通过电容器耦合并隔离，提供高频信号通路，阻止工频电流进入弱电系统，保证人身安全。带有电压抽取装置的耦合电容器除以上作用外，还可抽取工频电压供保护及重合闸使用，起到电压互感器的作用。耦合方法有多种。 去耦电容是电路中装设在元件的电源端的电容，此电容可以提供较稳定的电源，同时也可以降低元件耦合到电源端的噪声，间接可以减少其他元件受此元件噪声的影响。 在电子电路中，去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用，电容所处的位置不同，称呼就不一样了。对于同一个电路来说，旁路（电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，而去耦电容也称退耦电容，是把输出信号的干扰作为滤除对象。去耦电容用在放大电路中不需要交流的地方，用来消除自激，使放大器稳定工作。 将两个或两个以上的电路连接起来并使之相互影响的方法，称为耦合。这种连接而成的网络称为耦合电路。 常见的耦合方式有阻容耦合，变压器耦合，直流耦合和交流耦合。 去耦专指去除芯片电源管脚上的噪声，该噪声是芯片本省工作产生的。 在直流电源回路中，负载的变化会引起电源噪声。例如在数字电路中，当电路从一个状态转换为另一种状态时，就会在电源线上产生一个很大的尖峰电流，形成瞬变的噪声电压。配置去耦电容可以抑制因负载变化而产生的噪声，是印制电路板的可靠性设计的一种常规做法，配置原则如下： 电源输入端跨接一个10～100uF的电解电容器，如果印制电路板的位置允许，采用100uF以上的电解电容器的抗干扰效果会更好。 为每个集成电路芯片配置一个0.01uF的陶瓷电容器。如遇到印制电路板空间小而装不下时，可每4～10个芯片配置一个1～10uF钽电解电容器，这种器件的高频阻抗特别小，在500kHz～20MHz范围内阻抗小于1Ω，而且漏电流很小（0.5uA以下）。 对于噪声能力弱、关断时电流变化大的器件和ROM、RAM等存储型器件，应在芯片的电源线（）和地线（GND）间直接接入去耦电容。 去耦电容的引线不能过长，特别是高频旁路电容不能带引线。