用于制造独石电容和钽电容的结构技术和材料虽然是完全不同的，但是基本应用仍有相同的地方。容量在0.1-22μF范围内的电容器主要用在数字电路中的去耦和虑波。作为供电，不管数字电路中的开关，电容器辅助电源保持（DC）直流电压不变。电容器也起到一个简单、单极虑波器的作用，可以用来连接其它元件（电阻和电感）产生更高阶的虑波电路。 钽电容器和陶瓷电容器是两种电容器，它们有许多不同的特性。独石电容器室简单的平行板电容器的基本结构是由一个绝缘的中间介质层加外两个导电的金属电极。因此，多层片式陶瓷电容器的结构主要包括三大部分：陶瓷介质，金属内电极，金属外电极。而多层片式陶瓷电容器它是一个多层叠合的结构，简单地说它是由多个简单平行板电容器的并联体。 钽电容，全称是钽电解电容，也属于电解电容的一种，由于使用金属钽做介质，不需要像普通电解电容那样使用电解液，另外，钽电容不需像普通电解电容那样使用镀了铝膜的电容纸烧制，所以本身几乎没有电感，但同时也限制了它的容量。钽电容器具有非常高的工作电场强度，并较任何类型电容器都大，以此保证它的小型化。还可以非常方便地获得较大的电容量，在电源滤波、交流旁路等用途上少有竞争对手。

我们在处理高速差分信号的时候，经常使用交流耦合，也会使用直流耦合，比如PCIExpress我们看到的是交流耦合，早期光模块和芯片之间的LVPECL则更多地使用直流耦合，这篇文章我们不打算讨论什么情况下使用交流耦合，什么情况下使用直流耦合，我们要讨论的是使用交流耦合时需要解决的问题。 很简单的一个问题，交流耦合的电容需要选择多大我们 常见的有0.1uF和0.01uF，可是我们有想过为什么吗为什么不选更大或者更小的今天我们试图来用 简单的方式来解释，我们先使用频域的方式。 频域 以PCIE为例，我们知道PCIE内含8b/10b编码，并且我们知道它的所谓2.5Gbps（PCIE1.0），5Gbps（PCIE2.0），8Gbps（PCIE3.0）速率指的包含了8b/10b后的速率，也就波特率，这一点和以太网不一样，千兆以太网的SGMII接口速率其实1.25Gbps，去除8b/10b后比特率是1000M，所以这里的千兆指的payload速率，而且PCIE的速率指的是加上开销以后的速率。 交流耦合电容 题外话不多说，我们知道8b/10b作用是确保0和1的平衡，使得信号不会出现很长0和很长的1，防止接收端的CDR失锁，也就是去除了信号的低频部分，使得信号的频谱保持在某个频率以上。如图所示经过8b/10b编码后信号的频谱在低频段衰减了8dB。 那么我们怎么去除为什么我们要去除低频，保留高频呢这还得从AC耦合的结构原理说起： 根据上图，我们进一步细化一下模型如下： 我们看到耦合电容和传输线的特征阻抗组成了一个高通的滤波器，如下面的图所示我们需要确保此Highpassfilter的截止频率（绿色线）要低于信号经过8b/10b后的频谱的 点（红色线），因为只有这样才能确保信号的能量完整的通过。