特点： 温度特性好，频率特性好。一般电容随着频率的上升，电容量呈现下降的规律，独石电容下降比较少，容量比较稳定。 作用： 1、储能交换 这是独石电容 基本的功用，主要是通过它的充放电过程来产生和施放一个电能。这主要是以大容量的Ⅱ类独石电容为主，在某些情况下甚至可以代替小型铝电解电容和钽电解电容。 2、隔直通交（旁路和耦合） 由于独石电容并非是一个导通体，它是通过交流的有规律的转向而体现出两端带电的现象，因此，在电路中它可以同其它元件并联，使交流通过，而直流被阻隔下来，起到旁路的作用。 在交流电路中，独石电容跟随输入信号的极性变化而进行充放电，从而使连接独石电容两端的电路表现导通的状态，起到耦合的作用。 一般说来，和放大器或运放输入端相联独石电容的为耦合独石电容；和放大器或运放发射极相联的独石电容为旁路独石电容。 两者均以Ⅱ类独石电容为主，特别是0.1uF的电容居多。 3、鉴频滤波 在交流电路中，对于一个多频率混合的信号，我们可以用独石电容将其部分分开，一般来说，我们可以使用一个合理电容量的独石电容将大部分的低频信号过滤掉。这主要以高频或超高频独石电容为主。 4、浪涌电压的抑制 由于独石电容是一个储能元件，因此，在电路中，它可以去除那些短暂的浪涌脉冲信号，也可以吸收电路中电压起伏不定所产生的多余的能量。滤波主要以高频产品为主。

陶瓷电容它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。 低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。陶瓷电容按照封装不同可分为插件和贴片式！按照介质不同可分为I类瓷介电容和II类瓷介电容，通常NP0，SL0，COG是I类瓷介电容，X7R，X5R，Y5U，Y5V是II类瓷介电容，I类瓷介电容容量稳定性很好，基本不随温度，电压，时间等变化而变化，但是一般容量都很小，而II类瓷介电容容量稳定性很差，随着温度，电压，时间变化幅度较大，所以陶瓷电容一般用在对容量稳定性要求不高的场合，如滤波等！ 在大功率、高压领域使用的高压陶瓷电容器，要求具有小型、高耐压和频率特性好等特点。近年来随着材料、电极和制造技术的进步，高压陶瓷电容器的发展有长足的进展，并取得广泛应用。高压陶瓷电容器已成为大功率高压电子产品不可缺少的元件之一。高压陶瓷电容器的用途主要分为送电、配电系统的电力设备和处理脉冲能量的设备。 1.陶瓷电容器按电压分类 按电压：超高压、高压、低压、交流 超高压：≥10KVdc者； 高压：≥500Vdc，＜10KVdc者； 低压：≥16Vdc，＜500KVdc者； 交流：特指250Vac与400Vac。即Y电容。 2.陶瓷电容器按温度特性分类 按温度特性可以分为三类： 1类：高频瓷介电容器，有NP0、SL等； 2类：高介电常数电容器，有Y5P、Y5U、Y5V等。 3类：半导体型陶瓷电容器，原则上有Y5P、Y5U、Y5V。实际上目前Y5V为主。 3.什么是温度特性 是指电容器在规定的温度范围内，相对于常温时电容器电容量的变化率。 如NP0，在-25℃-+85℃的温度区间，相对于25℃时，温度每变化1℃，其电容量之允许变化小于60ppm。 如Y5P，在-25℃-+85℃的温度区间，相对于25℃时的容量变化率允许±10%。 代码：Y：-25℃；5：+85℃ 变化率：P：±10%； U：+22%，-56%； V：+22%，-82%。