在此我们以AVX贴片钽电容的TAJ系列为例，进行说明如下： 1、钽电容的浪涌电压 钽电容的浪涌电压是指电容在很短的时间经过 小的串联电阻的电路330hms(C国家1KΩ)能承受的 电压。浪涌电压，常温下一个小时时间内可达到高达10倍额度电压并高达30秒的时间。浪涌电压只作为参考参数，不能用作电路设计的依据，在正常运行过程中，电容应定期充电和放电。 不同温度下浪涌电压的值是不一样的，在85度及以下温度时，分类电压VC等于额定电压VR，浪涌电压VS等于额度电压VR的1.3倍；在85到125度时，分类电压VC等于额定电压VR的0.66倍，浪涌电压VS等于分类电压VC的1.3倍。 AVX钽电容能承受的电压和电流浪涌能力是有限的，这是基于所有电解电容的共同属性，一个值够高的电应力会穿过电介质，从而破坏了介质。例如一个6伏的钽电容在额定电压运行时，有一个167千伏/毫米电压的电场。因此一定要确保整个电容器终端的电压决不会超过规定的浪涌电压评级。作为钽电容负极板层使用的半导体二氧化锰有自愈能力。然而，这种低阻是有限的。在低阻抗电路的情况下，电容器可能被浪涌电流击穿。降压的电容，增加了元件的可靠性。AVX公司推荐降级表总结额定电压使用上常见电压轨迹，低阻抗钽电容在电路进行快速充电或放电时，保护电阻建议为1Ω/V，如果达不到此要求应使用钽电容器降压系数高达70%，在这种情况下，可能需要更高的电压比作为一个单一的电容。A系列组合应被用来增加工作电压的等效电容器，例如，两个22UF25V系列部分相当于一个11UF50V的一部分。 2、钽电容的反向电压 AVX钽电容的反向电压是有严格的限制的，具体如下： 在1.0V25度条件下 大为10%的额定直流工作电压在0.5V85度条件下 大为3%的额定直流工作电压，在0.1V125度条件下 大为1%的额定直流工作电压反向电压值均以钽电容在任何时间上的 电压值为准。这些限制是假设钽电容器偏振光在其大多数的正确方向工作寿命。他们的目的是涵盖短期逆转如发生在开关瞬态极性期间的一个印象深刻的波形的一小部分。连续施加反向电压会导致两极分化，将导致漏电流增大。 在何种情况下连续反向应用电压可能会出现两个类似的电容应采用与负端接背回配置连接在一起。在大多数情况下这种组合将有一个标称电容的一半。 3、钽电容的叠加交流电压（Vr.m.s.）又称纹波电压这是 大的r.m.s.交流电压，叠加一个特区电压，可应用到一个电容。在华盛顿的总和电压和峰值叠加A.C.电压不得超过该类别电压。 4、钽电容的成型电压 这是在阳极氧化形成的电压。这个氧化层的厚度是形成电压成正比一个电容器，并在设置额定电压的一个因素。

(1)原料要精选 影响高压陶瓷电容器质量的因素，除瓷料组成外，优化工艺制造、严格工艺条件是非常重要的。因此，对原料既要考虑成本又要注意纯度，选择工业纯原料时，必须注意原料的适用性。 (2)熔块的制备 熔块的制备质量对瓷料的球磨细度和烧成有很大的影响，如熔块合成温度偏低，则合成不充分。对后续工艺不利。如合成料中残存Ca2+，会阻碍轧膜工艺的进行：如合成温度偏高，使熔块过硬，会影响球磨效率：研磨介质的杂质引入，会降低粉料活性，导致瓷件烧成温度提高。 (3)成型工艺 成型时要防止厚度方向压力不均，坯体闭口气孔过多，若有较大气孔或层裂产生，会影响瓷体的抗电强度。 (4)烧成工艺 应严格控制烧成制度，采取性能优良的控温设备及导热性良好的窑具。 (5)包封 包封料的选择、包封工艺的控制以及瓷件表面的清洁处理等对电容器的特性影响很大。冈此，必须选择抗潮性好，与瓷体表面密切结合的、抗电强度高的包封料。目前，大多选择环氧树脂，少数产品也有选用酚醛脂进行包封的。还有采取先绝缘漆涂覆，再用酚醛树脂包封方法的，这对降低成本有一定意义。大规模生产线上多采用粉末包封技术。