方法一 1.将电容器与电源接通，如果接通的瞬间万用表的指针不摆动，则说明电容器失效或断路。若表针一直指示电源电压，但是却不作摆动，表明电容器已短路。若表针摆动正常，但不返回零位，说明电容器有漏电现象。因为所指示的电压数值越高，表明漏电量越大。 2.薄膜精密晶片电阻，测量容量小的电容器所用的辅助直流电压不能超过被测电容器的耐压，以免因测量而造成电容器击穿损坏。要想准确测量电容器的容量，需要采用电容电桥或Q表。上述的简易检测方法，只能粗略判断压力表电容器的好坏。 3.容量大的固定电容器可用万用表的电阻档（R×1000）测量电容器两电极，看表针的摆动情况，摆幅越大，表明电容器的电容量越大。若测试棒一直碰触电容器引线，表针应指在∞附近，否则，表明该电容器有漏电现象，其电阻值越小，说明漏电量越大，则电容器质量越差。 4.在检查电容器的好坏时，对耐压较低的电解电容器，电阻档应放在R×100或R×1K档，把红表笔接电容器的负端，黑表笔接正端，这时万用表指针将摆动，然后恢复到零位或零位附近，这样说明电解电容器的质量是合格的。电解电容器的容量越大，充电时间越长，指针摆动得也越慢。薄膜精密晶片电阻怎么判断晶片电阻好坏如何判断贴片电阻好坏 判断贴片电阻的好坏有以下两种情况： 种：用万用表在线测量法，电阻值大于标称值时，说明元件有断路性故障或电阻值变大，已经损坏；所测阻值小于标称值时，要考虑到是外围并联元件对其造成的影响，应将元件一端或两端脱开电路进行测量，以便得出确切的测量结果。 一旦仪器仪表中的长方框架形线绕精密电阻损坏，可用与原电阻合金丝的材料、直径、长度均相同的新合金电阻丝均匀绕在原框架上代替。如果原长方框架形线绕精密电阻只是表面绝缘层破损，只需将原电阻丝从框架上拆下，重新浸漆（宜选用性能优、价格低的1260绝缘清漆），再经晾干处理后重新绕到原长方框架上即可。 第二种：外观特征判断法。 具体外观特征判断如下： 贴片电阻表面二次玻璃体保护膜应覆盖完好，出现脱落，可能已经损坏。 元件表面应该是平整的，若再现一些“凸凹”，可能损坏。 元件引出端电极一般应平整、无裂痕针孔、无变色现象，如果出现裂纹，则可能损坏。 贴片电阻体表面颜色烧黑，可能已经损坏。 电阻体己经变形，可能损坏。

容量和耐压 首先对于电容来讲， 重要的是容量和耐压两个参数。这两个参数关系到设计是不是能实现所需要的功能。 从容量上来讲， 电容一骑绝尘，但在上一篇也说了， 电容的使用上有诸多特殊的点需要注意，而且耐压过低，在我们电子产品的设计中一般不会作为一种选择。其次就是铝电解电容。在电解电容的领域内，铝电解电容拥有着 的耐压范围。所以在很多输入电压要求较高的地方，铝电解电容也是不可替代的。其余的电解电容容量与耐压相差没有数量级上的差距。 陶瓷电容和薄膜电容作为无极性电容，耐压在所有的电容中可以做到 ，比如在很多外部接口的静电防护中，一般都会用M和薄膜电容来做设计。但这两者容量也比较低，一般会通过大量的并联来提高总的容量。 各种电容的耐压和容量的对比大致如下图所示。 ESR ESR作为如此重要的一个参数反复提起，但如果对PI没有了解的话对于ESR很难有感性直接的认识。 在PI的设计中，ESR是除容量之外的一个 重要的因素。 篇介绍了电容的阻抗曲线，电容谐振点的 值就由ESR决定。也是ESR决定了电源轨在频域上的阻抗能到多低。 关于电源的PI设计，会有一些基本的理论知识需要掌握，有兴趣的可以往前翻翻，有两篇PDN设计的文章。这里只简单说几条结论。 1、地弹产生的原因是电源轨在频域上的阻抗过高导致的2、电源ripple是由ΔI和电源轨阻抗引起的3、电容的ESR决定了电源轨的阻抗大小关于ESR，也有一些很有趣的东西。ESR表示的是串联等效电阻。参考上上一片电容简介里面的电容模型图，正负电极形成了电容，而从引线到正负电极的等效电阻就是ESR。对于M而言，ESR来源于引线和陶瓷介质。在相同封装下，容量越大，叠层越多，ESR就越低；相同容量，封装越大，陶瓷介质的长度就越长，ESR就越高。 对于电解电容来讲，就稍微复杂一些。电解电容的正极是金属电极，在金属电极上通过化成形成一层氧化层，这层氧化层就是正极，所以正极的电阻来源于金属电极的电阻；电解电容的负极是电解质，电解质与氧化膜之间绝缘的特性形成了电容，所以负极的等效电阻来源于负极的引线和电解质的电导率。 综合来看，M由于其结构和制作工艺的优异性，有所有电容无可比拟的 的ESR，对于电解电容来讲，其ESR的差异主要决定于其使用的阴极电解质的电导率。在这其中，SP-CAP的ESR 。