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瓷片电容是一种用陶瓷材料作介质,在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜,再经高温烧结后作为电极而成的电容器,又称圆片瓷介电容。为高压瓷片电容和低压瓷片电容。做为电子元器件,早已出现在各类电子产品中,应用极为广泛。 瓷片电容作用: 瓷片电容的高频特性比较好,一般在电路中发挥着耦合、滤波、退藕、震荡等作用。瓷片用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷片电容限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合包括高频在内。这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。在大功率、高压领域使用的高压瓷片电容,要求具有小型、高耐压和频率特性好等特点。高压瓷片电容已成为大功率高压电子产品不可缺少的元件之一。高压瓷片电容的用途主要分为送电、配电系统的电力设备和处理脉冲能量的设备。 瓷片电容主要针对于高频,高压瓷片电容取决于你使用在什么场合,其中 典型作用就是可以消除高频干扰。 瓷片电容优点: 1.高压瓷片电容容量损耗随温度频率具高稳定性。 2.高压瓷片电容特殊的串联结构适合于高电压极长期工作可靠性。 3.高压瓷片电容高电流爬升速率并适用于大电流回路无感型结构。 不同的电容器储存电荷的能力也不相同。规定把电容器外加1伏特直流电压时所储存的电荷量称为该电容器的电容量。 缺点:容量比较小

我们在处理高速差分信号的时候,经常使用交流耦合,也会使用直流耦合,比如PCIExpress我们看到的是交流耦合,早期光模块和芯片之间的LVPECL则更多地使用直流耦合,这篇文章我们不打算讨论什么情况下使用交流耦合,什么情况下使用直流耦合,我们要讨论的是使用交流耦合时需要解决的问题。 很简单的一个问题,交流耦合的电容需要选择多大我们 常见的有0.1uF和0.01uF,可是我们有想过为什么吗为什么不选更大或者更小的今天我们试图来用 简单的方式来解释,我们先使用频域的方式。 频域 以PCIE为例,我们知道PCIE内含8b/10b编码,并且我们知道它的所谓2.5Gbps(PCIE1.0),5Gbps(PCIE2.0),8Gbps(PCIE3.0)速率指的包含了8b/10b后的速率,也就波特率,这一点和以太网不一样,千兆以太网的SGMII接口速率其实1.25Gbps,去除8b/10b后比特率是1000M,所以这里的千兆指的payload速率,而且PCIE的速率指的是加上开销以后的速率。 交流耦合电容 题外话不多说,我们知道8b/10b作用是确保0和1的平衡,使得信号不会出现很长0和很长的1,防止接收端的CDR失锁,也就是去除了信号的低频部分,使得信号的频谱保持在某个频率以上。如图所示经过8b/10b编码后信号的频谱在低频段衰减了8dB。 那么我们怎么去除为什么我们要去除低频,保留高频呢这还得从AC耦合的结构原理说起: 根据上图,我们进一步细化一下模型如下: 我们看到耦合电容和传输线的特征阻抗组成了一个高通的滤波器,如下面的图所示我们需要确保此Highpassfilter的截止频率(绿色线)要低于信号经过8b/10b后的频谱的 点(红色线),因为只有这样才能确保信号的能量完整的通过。


