独石电容、瓷片电容、陶瓷电容都是常见的电容元器件之一，独石电容比较稳定，问温漂系数小，电容值可以做到1uF，寿命长，等效直流电阻小，价格稍贵。 瓷片电容的高频特性好，但电容值 大只能做到0.1uF。瓷片电容也属于陶瓷电容的一种，陶瓷电容是总称。瓷片电容是一种用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。 而陶瓷电容用用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。 瓷片电容（ceramapacitor）是一种用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。 优点：稳定，绝缘性好，耐高压 缺点：容量比较小 独石电容： 独石电容是多层陶瓷电容器的别称，英文名称简称M，根据所使用的材料，可分为三类。 一类为温度补偿类NPO电介质这种电容器电气性能 稳定，基本上不随温度、电压、时间的改变，属超稳定型、低损耗电容材料类型，适用在对稳定性、可靠性要求较高的高频、特高频、甚高频电路中。 二类为高介电常数类X7R电介质由于X7R是一种强电介质，因而能制造出容量比NPO介质更大的电容器。这种电容器性能较稳定，随温度、电压时间的改变，其特有的性能变化并不显著，属稳定电容材料类型，使用在隔直、耦合、傍路、滤波电路及可靠性要求较高的中高频电路中。 三类为半导体类Y5V电介质这种电容器具有较高的介电常数，常用于生产比容较大、标称容量较高的大容量电容器产品。但其容量稳定性较X7R差，容量、损耗对温度、电压等测试条件较敏感，主要用在电子整机中的振荡、耦合、滤波及旁路电路中。 特点：温度特性好，频率特性好。一般电容随着频率的上升，电容量呈现下降的规律，独石电容下降比较少，容量比较稳定。 陶瓷电容： 陶瓷电容用用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。

一般不用计算的，因为启动电容只是起到一个移相作用，只要和启动线圈配合，将线圈的电动势移相为互差180°电角度即可产生旋转磁场，电机启动后就切断启动线圈和此电容了，所以这个电容应用范围较宽，一般550W-2200W电机都用450V200μf的，都可以正常启动。 交流电机的旋转依靠电流产生的旋转磁场。三相电机流过的是相位互差120度的三相电流，能产生旋转磁场（改变其中任意2相接线则可以改变电机正反转）。而单相电机流过的单相电流不能产生旋转磁场，需要采取一定的方法使它产生旋转磁场，用电容就是方法之一，也是 常见的方法。 电容是用来分相的，目的是使两个饶组中的电流产生近于90゜的相位差，以产生旋转磁场。三相电中，每两相之间的电流本身就有相位差，不用分相。 电容感应式电机有两个绕组，即启动绕组和运行绕组。两个绕组在空间上相差90度。在启动绕组上串连了一个容矩，使电机旋转起来（单相电机任一线圈的两端对调则可以改变单相电机的正反转）。