电容器组禁止带电荷合闸。 在交流电路中，如果电容器带电荷时再次合闸，则可能使电容器承受二倍以上的额定电压的峰值，这对电容器是有害的。同时，也会产生很大的冲击电流，有时使熔丝熔断或断路器跳闸。因此，电容器组每次拉闸之后，必须随即进行放电，待电荷消失后再进行合闸。从理论上讲，电容器的放电时间要无穷大才能放完，但实际上只要放电电阻选得合适，放电1min左右即可满足要求。所以运行规程中规定：电容器组每次重新合闸，必须在电容器组断开3min后进行，以利安全。 电容器组失压属于什么 容器组失压属于故障。 系统失压本身不会损坏电容器，但是在系统电压短暂消失或供电短时中断时，可能发生下列现象使电容器发生过电压和过电流而损坏： （1）电容器组失压后放电未完毕又随即恢复电压使电容器组带剩余电荷合闸，产生很大的冲击电流和瞬时过电压，使电容器损坏。 （2）变电站失压后恢复送电时若空载变压器和电容器同时投入，LC电路空载投入的合闸涌流将使电容器受到损坏。 （3）变电站失压后恢复送电时可能因母线上无负载而使母线电压过高造成电容器过电压。

去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF.这个电容的分布电感的典型值是5μH.0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说，对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用.1μF、10μF的电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10μF左右。 不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF. 分布电容是指由非形态电容形成的一种分布参数。一般是指在印制板或其他形态的电路形式，在线与线之间、印制板的上下层之间形成的电容。这种电容的容量很小，但可能对电路形成一定的影响。在对印制板进行设计时一定要充分考虑这种影响，尤其是在工作频率很高的时候。也成为寄生电容，制造时一定会产生，只是大小的问题。布高速PCB时，过孔可以减少板层电容，但会增加电感。 分布电感是指在频率提高时，因导体自感而造成的阻抗增加。 耦合电容，又称电场耦合或静电耦合，是由于分布电容的存在而产生的一种耦合方式。耦合电容器是使得强电和弱电两个系统通过电容器耦合并隔离，提供高频信号通路，阻止低频电流进入弱电系统，保证人身安全。带有电压抽取装置的耦合电容器除以上作用外，还可抽取工频电压供保护及重合闸使用，起到电压互感器的作用。