陶瓷电容它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。 低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。陶瓷电容按照封装不同可分为插件和贴片式！按照介质不同可分为I类瓷介电容和II类瓷介电容，通常NP0，SL0，COG是I类瓷介电容，X7R，X5R，Y5U，Y5V是II类瓷介电容，I类瓷介电容容量稳定性很好，基本不随温度，电压，时间等变化而变化，但是一般容量都很小，而II类瓷介电容容量稳定性很差，随着温度，电压，时间变化幅度较大，所以陶瓷电容一般用在对容量稳定性要求不高的场合，如滤波等！ 在大功率、高压领域使用的高压陶瓷电容器，要求具有小型、高耐压和频率特性好等特点。近年来随着材料、电极和制造技术的进步，高压陶瓷电容器的发展有长足的进展，并取得广泛应用。高压陶瓷电容器已成为大功率高压电子产品不可缺少的元件之一。高压陶瓷电容器的用途主要分为送电、配电系统的电力设备和处理脉冲能量的设备。 1.陶瓷电容器按电压分类 按电压：超高压、高压、低压、交流 超高压：≥10KVdc者； 高压：≥500Vdc，＜10KVdc者； 低压：≥16Vdc，＜500KVdc者； 交流：特指250Vac与400Vac。即Y电容。 2.陶瓷电容器按温度特性分类 按温度特性可以分为三类： 1类：高频瓷介电容器，有NP0、SL等； 2类：高介电常数电容器，有Y5P、Y5U、Y5V等。 3类：半导体型陶瓷电容器，原则上有Y5P、Y5U、Y5V。实际上目前Y5V为主。 3.什么是温度特性 是指电容器在规定的温度范围内，相对于常温时电容器电容量的变化率。 如NP0，在-25℃-+85℃的温度区间，相对于25℃时，温度每变化1℃，其电容量之允许变化小于60ppm。 如Y5P，在-25℃-+85℃的温度区间，相对于25℃时的容量变化率允许±10%。 代码：Y：-25℃；5：+85℃ 变化率：P：±10%； U：+22%，-56%； V：+22%，-82%。

电容是两个彼此靠近又相互绝缘的导体。 常用的滤波电路有无源滤波和有源滤波两大类。电容滤波为无源滤波。 滤波电容是指安装在整流电路两端用以降低交流脉动波纹系数提升高效平滑直流输出的一种储能器件。由于滤波电路要求储能电容有较大电容量。所以，绝大多数滤波电路使用电解电容。电解电容由于其使用电解质作为电极（负极）而得名。 电容滤波电路 如下图所示为电容滤波电路，滤波电容容量大，因此一般采用电解电容，在接线时要注意电解电容的正、负极。电容滤波电路利用电容的充、放电作用，使输出电压趋于平滑。 滤波原理 当u2为正半周并且数值大于电容两端电压uC时，二极管D1和D3管导通，D2和D4管截止，电流一路流经负载电阻RL，另一路对电容C充电。当uC》u2，导致D1和D3管反向偏置而截止，电容通过负载电阻RL放电，uC按指数规律缓慢下降。 当u2为负半周幅值变化到恰好大于uC时，D2和D4因加正向电压变为导通状态，u2再次对C充电，uC上升到u2的峰值后又开始下降；下降到一定数值时D2和D4变为截止，C对RL放电，uC按指数规律下降；放电到一定数值时D1和D3变为导通，重复上述过程。