陶瓷电容它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。 低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。陶瓷电容按照封装不同可分为插件和贴片式！按照介质不同可分为I类瓷介电容和II类瓷介电容，通常NP0，SL0，COG是I类瓷介电容，X7R，X5R，Y5U，Y5V是II类瓷介电容，I类瓷介电容容量稳定性很好，基本不随温度，电压，时间等变化而变化，但是一般容量都很小，而II类瓷介电容容量稳定性很差，随着温度，电压，时间变化幅度较大，所以陶瓷电容一般用在对容量稳定性要求不高的场合，如滤波等！ 在大功率、高压领域使用的高压陶瓷电容器，要求具有小型、高耐压和频率特性好等特点。近年来随着材料、电极和制造技术的进步，高压陶瓷电容器的发展有长足的进展，并取得广泛应用。高压陶瓷电容器已成为大功率高压电子产品不可缺少的元件之一。高压陶瓷电容器的用途主要分为送电、配电系统的电力设备和处理脉冲能量的设备。 1.陶瓷电容器按电压分类 按电压：超高压、高压、低压、交流 超高压：≥10KVdc者； 高压：≥500Vdc，＜10KVdc者； 低压：≥16Vdc，＜500KVdc者； 交流：特指250Vac与400Vac。即Y电容。 2.陶瓷电容器按温度特性分类 按温度特性可以分为三类： 1类：高频瓷介电容器，有NP0、SL等； 2类：高介电常数电容器，有Y5P、Y5U、Y5V等。 3类：半导体型陶瓷电容器，原则上有Y5P、Y5U、Y5V。实际上目前Y5V为主。 3.什么是温度特性 是指电容器在规定的温度范围内，相对于常温时电容器电容量的变化率。 如NP0，在-25℃-+85℃的温度区间，相对于25℃时，温度每变化1℃，其电容量之允许变化小于60ppm。 如Y5P，在-25℃-+85℃的温度区间，相对于25℃时的容量变化率允许±10%。 代码：Y：-25℃；5：+85℃ 变化率：P：±10%； U：+22%，-56%； V：+22%，-82%。

电容器在电子电路中几乎是不可缺少的储能元件，它具有隔断直流、连通交流、阻止低频的特性。广泛应用在耦合、隔直、旁路、滤波、调谐、能量转换和自动控制等电路中。熟悉电容器在不同电路中的名称意义，有助于我们读懂电子电路图。 电容器的特点就是：对直流电表现出的阻抗极大，相当于不通。对交流电，频率越高阻抗越小。利用电容器的这个特点，我们就可以把混杂在直流电里的交流成分过滤出来，所以叫“滤波”。经过滤波，交流成分都经过电容器回到电源去了，电容器两侧剩下的就是没有波动的纯直流电了。利用同样的原理，我们可以通过电容器筛选出交流信号，把直流成分去掉，这一作用被称为“耦合”。还可以利用电容器和电阻构成充放电时间电路，还可以利用电容器和电感组成谐振电路，等等。 滤波电容：接在直流电源的正、负极之间，以滤除直流电源中不需要的交流成分，使直流电变平滑。一般采用大容量的电解电容器或钽电容，也可以在电路中同时并接其他类型的小容量电容以滤除高频交流电。 交流电经过整流后输出的直流电并不稳定，任然存在较大的脉动电压，这种不平稳的直流电会造成元件的使用寿命。大多数电子设备都是依赖平稳的直流电，因此需要在整流电路之后还需加滤波电路，来过滤掉不平稳直流电中的交流成分， 终才能得到较平滑的直流输出电压。 滤波就离不开电容或电感，因为它们都有能量存储功能，滤波就是利用它们这种功能来实现的。 如图a，当u2电压为正半周期时，二极管V导通。此时，u2不仅对负载RL供电，还对电容C充电。二极管的压降很小，可以忽略不计再进行分析。因为电容电压UC是紧跟着u2电压以正弦规律升之u2的 大值，然后u2又继续以正弦规律下降。由于电容C一直在充电，当u2继续以正弦规律下降时，此时电容C的电压UC值大于u2，即UC＞u2。此刻二极管V不在是导通状态，而是截止状态了。二极管V截止，RL的电源不在是u2提供，而是来自电容C放电。电容对负载RL以指数规律进行放电。当UC放电的电压小于u2，二极管V又导通，电容又开始充电。就这样循环下去，电容C周而复始的进行着充电和放电两个过程，使输出脉动电压减小。 上面说到电容的放电，电容的放电快与慢跟时间系数有关，时间系数等于RL×C。时间系数越大，说明电容放电时间就越久，那么输出电压就越平稳，从而平均值也越高了。想获得输出平稳电压，在负载 的情况下，从电容入手。选择体积小且容量大的电容，这样时间系数增大，那么输出电压就平稳了。