陶瓷电容它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。 低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。陶瓷电容按照封装不同可分为插件和贴片式！按照介质不同可分为I类瓷介电容和II类瓷介电容，通常NP0，SL0，COG是I类瓷介电容，X7R，X5R，Y5U，Y5V是II类瓷介电容，I类瓷介电容容量稳定性很好，基本不随温度，电压，时间等变化而变化，但是一般容量都很小，而II类瓷介电容容量稳定性很差，随着温度，电压，时间变化幅度较大，所以陶瓷电容一般用在对容量稳定性要求不高的场合，如滤波等！ 在大功率、高压领域使用的高压陶瓷电容器，要求具有小型、高耐压和频率特性好等特点。近年来随着材料、电极和制造技术的进步，高压陶瓷电容器的发展有长足的进展，并取得广泛应用。高压陶瓷电容器已成为大功率高压电子产品不可缺少的元件之一。高压陶瓷电容器的用途主要分为送电、配电系统的电力设备和处理脉冲能量的设备。 1.陶瓷电容器按电压分类 按电压：超高压、高压、低压、交流 超高压：≥10KVdc者； 高压：≥500Vdc，＜10KVdc者； 低压：≥16Vdc，＜500KVdc者； 交流：特指250Vac与400Vac。即Y电容。 2.陶瓷电容器按温度特性分类 按温度特性可以分为三类： 1类：高频瓷介电容器，有NP0、SL等； 2类：高介电常数电容器，有Y5P、Y5U、Y5V等。 3类：半导体型陶瓷电容器，原则上有Y5P、Y5U、Y5V。实际上目前Y5V为主。 3.什么是温度特性 是指电容器在规定的温度范围内，相对于常温时电容器电容量的变化率。 如NP0，在-25℃-+85℃的温度区间，相对于25℃时，温度每变化1℃，其电容量之允许变化小于60ppm。 如Y5P，在-25℃-+85℃的温度区间，相对于25℃时的容量变化率允许±10%。 代码：Y：-25℃；5：+85℃ 变化率：P：±10%； U：+22%，-56%； V：+22%，-82%。

（1）电容器应有标出基本参数等内容的制造厂铭牌。 （2）电容器金属外壳应有明显接地标志，其外壳应与金属架构共同接地。 （3）电容器周围环境无易燃、易爆危险，无剧烈冲击和震动。 （4）电容器应有温度测量设备，可在适当部位安装温度计或贴示温蜡片。一般情况下，环境温度在+40℃之问时，充矿物油的电容器允许温升为50℃，充硅油的电容器允许温升为55℃。 （5）电容器应有合格的放电设备。 （6）允许过电压：电容器组在日常运行时，可在1.1倍额定电压下长期运行。对于瞬时过电压，时间较短时根据过电压时间限定过电压倍数：一般过电压持续1min时，可维持。 （7）允许过电流：电容器组允许在1~3倍额定电流下长期运行。