用高介电常数的电容器陶瓷钛酸钡一氧化钛挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合（包括高频在内）。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。 陶瓷电容器的啸叫原理 随着人们对电子设备的需求趋于平静，在笔记本电脑、手机、数码相机（DSC）等各种应用设备的电源电路方面，以前未引起重视的由电容器振动所产生的“啸叫”问题已成为设计方面的课题。 陶瓷电容器又称为瓷介电容器或独石电容器。顾名思义，瓷介电容器就是介质材料为陶瓷的电容器。根据陶瓷材料的不同，可以分为低频陶瓷电容器和高频陶瓷电容器两类。按结构形式分类，又可分为圆片状电容器、管状电容器、矩形电容器、片状电容器、穿心电容器等多种。 传统的陶瓷电容器比传统的陶瓷材料拥有更低介电常数的材料并可降低电容器失真的类型，以及在电路板的端子板等部位翘起安装陶瓷电容器并对电路板振动传递进行抑制且装有金属端子的类型电容器，通过人耳确认啸叫程度来进行在0Hz～12.75kHz的频率范围内，通过使用电脑中的软件将矩形波的频率调整到电容器和电路板的共振频率上，从而产生啸叫现象，啸叫原理。

我们在处理高速差分信号的时候，经常使用交流耦合，也会使用直流耦合，比如PCIExpress我们看到的是交流耦合，早期光模块和芯片之间的LVPECL则更多地使用直流耦合，这篇文章我们不打算讨论什么情况下使用交流耦合，什么情况下使用直流耦合，我们要讨论的是使用交流耦合时需要解决的问题。 很简单的一个问题，交流耦合的电容需要选择多大我们 常见的有0.1uF和0.01uF，可是我们有想过为什么吗为什么不选更大或者更小的今天我们试图来用 简单的方式来解释，我们先使用频域的方式。 频域 以PCIE为例，我们知道PCIE内含8b/10b编码，并且我们知道它的所谓2.5Gbps（PCIE1.0），5Gbps（PCIE2.0），8Gbps（PCIE3.0）速率指的包含了8b/10b后的速率，也就波特率，这一点和以太网不一样，千兆以太网的SGMII接口速率其实1.25Gbps，去除8b/10b后比特率是1000M，所以这里的千兆指的payload速率，而且PCIE的速率指的是加上开销以后的速率。 交流耦合电容 题外话不多说，我们知道8b/10b作用是确保0和1的平衡，使得信号不会出现很长0和很长的1，防止接收端的CDR失锁，也就是去除了信号的低频部分，使得信号的频谱保持在某个频率以上。如图所示经过8b/10b编码后信号的频谱在低频段衰减了8dB。 那么我们怎么去除为什么我们要去除低频，保留高频呢这还得从AC耦合的结构原理说起： 根据上图，我们进一步细化一下模型如下： 我们看到耦合电容和传输线的特征阻抗组成了一个高通的滤波器，如下面的图所示我们需要确保此Highpassfilter的截止频率（绿色线）要低于信号经过8b/10b后的频谱的 点（红色线），因为只有这样才能确保信号的能量完整的通过。