一、晶闸管（可控硅）两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管（可控硅）电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。 我们知道，晶闸管（可控硅）有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管（可控硅）在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管（可控硅）从断态转入通态的 电压上升率。若电压上升率过大，超过了晶闸管（可控硅）的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管（可控硅）的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。因为晶闸管（可控硅）可以看作是由三个PN结组成。 在晶闸管（可控硅）处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。当晶闸管（可控硅）阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管（可控硅）在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管（可控硅）误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。因此，对加到晶闸管（可控硅）上的阳极电压上升率应有一定的限制。 为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管（可控硅）安全运行，常在晶闸管（可控硅）两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电路总是存在电感的（变压器漏感或负载电感），所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管（可控硅）。同时，避免电容器通过晶闸管（可控硅）放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管（可控硅）。 由于晶闸管（可控硅）过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。

温度变化对电容的影响 温度变化将引起电容的到介质损耗变化，从而影响其使用寿命。温度每升高10℃时，电容器的寿命就降低50％，同时还引起阻容时间常数变化，甚至发生因介质损耗过大而热击穿的情况。 此外，温度升高也将使电感线圈、变压器、扼流圈等的绝缘性能下降。 湿度导致失效 湿度过高，当含有酸碱性的灰尘落到电路板上时，将腐蚀元器件的焊点与接线处，造成焊点脱落，接头断裂。 湿度过高也是引起漏电耦合的主要原因。 过高电压导致器件失效 施加在元器件上的电压稳定性是保证元器件正常工作的重要条件。过高的电压会增加元器件的热损耗，甚至造成电击穿。对于电容器而言，其失效率正比于电容电压的5次幂。对于集成电路而言，超过其 大允许电压值的电压将造成器件的直接损坏。 电压击穿是指电子器件都有能承受的 耐压值，超过该允许值，器件存在失效风险。主动元件和被动元件失效的表现形式稍有差别，但也都有电压允许上限。晶体管元件都有耐压值，超过耐压值会对元件有损伤，比如超过二极管、电容等，电压超过元件的耐压值会导致它们击穿，如果能量很大会导致热击穿，元件会报废。