一、晶闸管（可控硅）两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管（可控硅）电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。 我们知道，晶闸管（可控硅）有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管（可控硅）在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管（可控硅）从断态转入通态的 电压上升率。若电压上升率过大，超过了晶闸管（可控硅）的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管（可控硅）的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。因为晶闸管（可控硅）可以看作是由三个PN结组成。 在晶闸管（可控硅）处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。当晶闸管（可控硅）阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管（可控硅）在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管（可控硅）误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。因此，对加到晶闸管（可控硅）上的阳极电压上升率应有一定的限制。 为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管（可控硅）安全运行，常在晶闸管（可控硅）两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电路总是存在电感的（变压器漏感或负载电感），所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管（可控硅）。同时，避免电容器通过晶闸管（可控硅）放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管（可控硅）。 由于晶闸管（可控硅）过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。

贴片电阻现在是某些电子电路中不可缺少的一部分作用是增加电流的电阻，增加电阻和限制电流。 贴片电容的封装尺寸和贴片电阻一样。贴片电阻的封装尺寸用4位的整数表示。前面两位表示贴片电阻的长度，后面两位表示贴片电阻的宽度。根据长度单位的不同有两种表示方法，即英制表示法和公制表示法。例如：0603是英制表示法，表示长度为0.06英寸，宽度为0.03英寸；又如：1005是公制表示法，表示长度为1.0毫米，宽度为0.5毫米。业内的惯例是用英制表示。目前 小的贴片电阻为0201， 大的为2512。 由于贴片电阻应用电路的不同，对其电阻值的要求也不同。区分贴片电阻的方法：根据贴片电阻的形状和体积，有九种封装尺寸。不同的封装尺寸有不同的额定功率。 贴片电阻的电阻值误差精度分别为士1%、士2%、士5%、士10%。 常用的精度为士1%和士5%。例如512，前两个数字是有效数字，第三个数字2表示有多少个零。基本单位为Q，即5100Ω，100091KΩ，100000021mΩ。为了区分士5%和士1%的电阻，士1%的电阻通常用4位数字表示。这样，前三位表示有效数字，第四位表示有多少个零。4531为4530Ω，等于4.53kQ。