一、晶闸管（可控硅）两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管（可控硅）电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。 我们知道，晶闸管（可控硅）有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管（可控硅）在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管（可控硅）从断态转入通态的 电压上升率。若电压上升率过大，超过了晶闸管（可控硅）的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管（可控硅）的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。因为晶闸管（可控硅）可以看作是由三个PN结组成。 在晶闸管（可控硅）处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。当晶闸管（可控硅）阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管（可控硅）在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管（可控硅）误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。因此，对加到晶闸管（可控硅）上的阳极电压上升率应有一定的限制。 为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管（可控硅）安全运行，常在晶闸管（可控硅）两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电路总是存在电感的（变压器漏感或负载电感），所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管（可控硅）。同时，避免电容器通过晶闸管（可控硅）放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管（可控硅）。 由于晶闸管（可控硅）过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。

高频低阻电解电容原理：电子镇流器所用的电解电容器的主要题目是在工作时耐压值不够或温度系数差，造成电解电容损坏。本方法是在电解电容器的极限工作耐压的状况下，通过充放电来检测电解电容的质量，假如有条件在高温下做筛选更好。假如电解电容的性能不够，稍微有点漏电的时候，其他电解电容所存储的电荷将会通过该电容放出，结果将性能较差的电容炸毁。 主要元件选择：S1和S2用联动的开关可选用机床上的紧急制动开关代替。灯泡用普通的白芷灯就可以了。保险丝用彩电上的延迟保险丝就行。 制作方法：先制作一个夹具，可以把很多待测的.电解电容器的引脚固定，并可以可靠地电气连接。再用一个箱子，把所有的东西安装在箱子内，电压表、灯泡、开关和调压手柄装在箱子的外表面，连接好电气线路就可以进行电解电容筛选了。 筛选操纵方法：先根据电解电容的标识调好工作电压，关上电源开关，装上电解电容，夹紧，盖上箱子盖。打开电源开关，关上，反复三次，再打开电源开关，保持半小时，再反复开关三次， 关上电源开关，取出电解电容，这步筛选工作完毕。