一、晶闸管（可控硅）两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管（可控硅）电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。 我们知道，晶闸管（可控硅）有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明晶闸管（可控硅）在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管（可控硅）从断态转入通态的 电压上升率。若电压上升率过大，超过了晶闸管（可控硅）的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于晶闸管（可控硅）的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。因为晶闸管（可控硅）可以看作是由三个PN结组成。 在晶闸管（可控硅）处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。当晶闸管（可控硅）阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。如果晶闸管（可控硅）在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管（可控硅）误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。因此，对加到晶闸管（可控硅）上的阳极电压上升率应有一定的限制。 为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管（可控硅）安全运行，常在晶闸管（可控硅）两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电路总是存在电感的（变压器漏感或负载电感），所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管（可控硅）。同时，避免电容器通过晶闸管（可控硅）放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管（可控硅）。 由于晶闸管（可控硅）过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。

在高压电容器系统中使用了单模保偏光纤和椭圆芯双模光纤，而且要利用逆压电效应产生的双模光纤中L和L城钾模的相位差的变化来实现高电压的侧量。 光波在光纤中的传播模式根据麦克斯韦电磁场理论，光是一种电磁波，光纤是一种具有特定边界条件的光波导。在光纤波导中，电磁波在纵向(轴向)以“行波”的形式存在，在横向以“驻波”的形式存在。其特征是:场分布沿轴向的变化只体现在相位上，场的幅度(或强度)不随轴向传播距离而变化(假设光纤中无模式藕合，也不存在损耗和增益)。在光纤中传播的光波遵从麦克斯韦方程组，由此可以推导出光波传输特性的波导方程理论推导结果说明，光波场方程有许多分立的解，每一个特解就代表一个能在光纤波导中独立传播的电磁场分布，即所谓模式，简称模。光波在光纤中的传播是所有模式线性登加的结果。光波在光纤中传播存在三类模式，即传输模(导模)、泄漏模(漏模)和辐射模。