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如何选择Bulk电容
容量和耐压 首先对于电容来讲, 重要的是容量和耐压两个参数。这两个参数关系到设计是不是能实现所需要的功能。 从容量上来讲, 电容一骑绝尘,但在上一篇也说了, 电容的使用上有诸多特殊的点需要注意,而且耐压过低,在我们电子产品的设计中一般不会作为一种选择。其次就是铝电解电容。在电解电容的领域内,铝电解电容拥有着 的耐压范围。所以在很多输入电压要求较高的地方,铝电解电容也是不可替代的。其余的电解电容容量与耐压相差没有数量级上的差距。 陶瓷电容和薄膜电容作为无极性电容,耐压在所有的电容中可以做到 ,比如在很多外部接口的静电防护中,一般都会用M和薄膜电容来做设计。但这两者容量也比较低,一般会通过大量的并联来提高总的容量。 各种电容的耐压和容量的对比大致如下图所示。 ESR ESR作为如此重要的一个参数反复提起,但如果对PI没有了解的话对于ESR很难有感性直接的认识。 在PI的设计中,ESR是除容量之外的一个 重要的因素。 篇介绍了电容的阻抗曲线,电容谐振点的 值就由ESR决定。也是ESR决定了电源轨在频域上的阻抗能到多低。 关于电源的PI设计,会有一些基本的理论知识需要掌握,有兴趣的可以往前翻翻,有两篇PDN设计的文章。这里只简单说几条结论。 1、地弹产生的原因是电源轨在频域上的阻抗过高导致的2、电源ripple是由ΔI和电源轨阻抗引起的3、电容的ESR决定了电源轨的阻抗大小关于ESR,也有一些很有趣的东西。ESR表示的是串联等效电阻。参考上上一片电容简介里面的电容模型图,正负电极形成了电容,而从引线到正负电极的等效电阻就是ESR。对于M而言,ESR来源于引线和陶瓷介质。在相同封装下,容量越大,叠层越多,ESR就越低;相同容量,封装越大,陶瓷介质的长度就越长,ESR就越高。 对于电解电容来讲,就稍微复杂一些。电解电容的正极是金属电极,在金属电极上通过化成形成一层氧化层,这层氧化层就是正极,所以正极的电阻来源于金属电极的电阻;电解电容的负极是电解质,电解质与氧化膜之间绝缘的特性形成了电容,所以负极的等效电阻来源于负极的引线和电解质的电导率。 综合来看,M由于其结构和制作工艺的优异性,有所有电容无可比拟的 的ESR,对于电解电容来讲,其ESR的差异主要决定于其使用的阴极电解质的电导率。在这其中,SP-CAP的ESR 。

温度的变化对合金电阻器的影响?
合金电阻器和其他半导体器件一样,受温度影响较大,当温度升高时,它的暗合金电阻会下降。温度的变化对光谱特性也有很大影响。因此,有时为了提高灵敏度,或为了能接受远红外光而采取降温措施。常用的光敏合金电阻器是硫化镉光敏合金电阻器,它是由半导体材料制成的。光敏合金电阻器的阻值随入射光线(可见光)的强弱变化而变化,在黑暗条件下,它的阻值(暗阻)可达1~10MΩ;在强光条件(100LX)下,它阻值(亮阻)仅有几百至数千欧姆。光敏合金电阻器对光的敏感性(即光谱特性)与人眼对可见光(0.4~0.76)μm的响应很接近,只要人眼可感受的光,都会引起它的阻值变化。所以设计光控电路时,都用白炽灯泡(小电珠)光线或自然光线作控制光源,使设计大为简化。光敏合金电阻随入射光线的强弱其对应的阻值变化不是线性的,也就不能用它作光电的线性变换,这是使用者应注意的地方。初学者可购置一只光敏合金电阻器(MG45型),在夜间点一盏60~100W的白炽灯,用万用表直接测量光敏合金电阻器的阻值。测量时,应把光敏合金电阻对着白炽灯的光,再逐渐拉开与灯的距离(由近到远),观察万用表指示的阻值变化,可以直观验证光敏合金电阻的特牲,以加深对它的感性认识。常用的光敏合金电阻器型号有密封型的MG41、MG42、MG43和非密封型的MG45(售价便宜)。它们的额定功率均在200mW以下。


