云母电容器主要电性能参数

1额定电压 指在工作温度范围内可以连续施加在电容器上的 大直流工作电压和交流脉冲电压的峰值。 本目录各种型号产品所示额定电压均为直流工作电压，超过本目录所规定的额定电压或需要交流额定电压的，可按双方协商签订技术协议进行加工制作。 2绝缘电阻 在规定的试验条件下，电容器所能承受的电压与所产生的漏电流的比值称电容器的绝缘电阻。分常温和高温绝缘电阻，常温是指室温条件下，高温是指电容器的正极限类别温度条件下。 云母电容的技术参数 3标称电容量 指电容器设计所确定和通常在电容器上所标出的电容量值。 标称电容量的优选数值采用E24系列数值（或表2中所列数值乘以10n，，其n为正或负整数）。 云母电容的技术参数 本目录各型号电容器采用数字进行标示，根据用户需要可用3位数字表示法，第1、2位数代表电容量的有效数值，第3位代表有效值后零的个数。如103代表10000pF，如果电容量小于10pF，则用R替代小数点。如4R7，代表4.7pF。 4电容量允许偏差 指电容器实际电容量对标称电容量可允许的 大偏差。电容量的 大允许偏差及其表示符号如表3： 表3容量允许偏差等级和代号 超过本目录所定标称电容量值，按非标产品加工制作。超过相关规定允许偏差的，按双方协商签订技术协议加工制作。 5损耗角正切值 损耗指电容器在单位时间内因发热而消耗的能量，损耗角正切指电容器所消耗的有功功率与它所储存或传递的无功功率的比值。 本目录规定了不同质量等级的云母电容器损耗角正切值见表4，超过规定范围之外的，可按双方协商签订技术协议加工制作。

磁敏电阻主要应用于什么场合

什么是磁敏电阻 磁敏电阻是一种对磁敏感、具有磁阻效应的电阻元件。物质在磁场中电阻发生变化的现象称为磁阻效应。磁敏电阻通常用锑化铟（InSb）或砷化铟（InAs）等对磁具有敏感性的半导体材料制成。半导体材料的磁阻效应包括物理磁阻效应和几何磁阻效应，其中物理磁阻效应又称为磁电阻率效应。 当外加磁场的方向或强度发生变化时，磁敏电阻的阻值相应改变，利用该变化，可精确地测试出磁场的相对位移。例如，在一个长方形半导体InSb片中，沿长度方向有电流通过时，若在垂直于电流片的宽度方向上施加一个磁场，半导体InSb片长度方向上就会发生电阻率增大的现象。 磁敏电阻结构的特点 磁敏电阻是利用某些材料电阻的磁敏效应制成的，其外形结构如下图（a）所示。磁敏电阻都做成片状，长、宽尺寸只有几毫米。为了提高灵敏度，电阻体经常做成弯弯曲曲的形状，并通过光刻等方法形成栅状的短路条。磁敏电阻多采用片形膜式封装结构，有两端和三端（内部有两只串联的磁敏电阻）之分。 磁敏电阻有哪些应用_磁敏电阻主要应用于什么场合磁敏电阻有哪些应用磁敏电阻是利用半导体的磁阻效应制造的，常用InSb（锑化铟）材料加工而成。半导体材料的磁阻效应包括物理磁阻效应和几何磁阻效应。其中物理磁阻效应又称为磁电阻率效应。在一个长方形半导体InSb片中，沿长度方向有电流通过时，若在垂直于电流片的宽度方向上施加一个磁场，半导体InSb片长度方向上就会发生电阻率增大的现象。这种现象就称为物理磁阻效应。几何磁阻效应是指半导体材料磁阻效应，与半导磁敏电阻的用途颇广。 1．作控制元件 可将磁敏电阻用于交流变换器、频率变换器、功率电压变换器、磁通密度电压变换器和位移电压变换器等等。 2．作计量元件 可将磁敏电阻用于磁场强度测量、位移测量、频率测量和功率因数测量等诸多方面。 3．作模拟元件 可在非线性模拟、平方模拟、立方模拟、三次代数式模拟和负阻抗模拟等方面使用。 4．作运算器 可用磁敏电阻在乘法器、除法器、平方器、开平方器、立方器和开立方器等方面使用。 5．作开关电路 在接近开关、磁卡文字识别和磁电编码器等方面。 图3是磁敏电阻作为接近开关使用的典型应用电路。在这里，为了提高检测灵敏度，在选用锑化铟磁敏电阻时，应选用磁阻比值较大的，或采用磁能积较大的 磁铁。图4是采用三端差分型磁敏电阻组成的识别磁性油墨浓度、文字、图形等的识别电路，它能输出O．1～1．5mV的电平，当频率在100～5000Hz的范围内．可得到约90dB的增益。 磁敏电阻有哪些应用 6．作磁敏传感器 用磁敏电阻作核心元件的各种磁敏传感器，其工作原理都是相同的．只是根据用途、结构不同而种类各异。