去耦电容主要是去除高频如RF信号的干扰，干扰的进入方式是通过电磁辐射。而实际上，芯片附近的电容还有蓄能的作用，这是第二位的。你可以把总电源看作密云水库，我们大楼内的家家户户都需要供水，这时候，水不是直接来自于水库，那样距离太远了，等水过来，我们已经渴的不行了。 实际水是来自于大楼顶上的水塔,水塔其实是一个buffer的作用。如果微观来看，高频器件在工作的时候，其电流是不连续的，而且频率很高，而器件到总电源有一段距离，即便距离不长，在频率很高的情况下，阻抗Z＝i*wL+R，线路的电感影响也会非常大，会导致器件在需要电流的时候，不能被及时供给。而去耦电容可以弥补此不足。这也是为什么很多电路板在高频器件管脚处放置小电容的原因之一（在引脚上通常并联一个去藕电容，这样交流分量就从这个电容接地。）有源器件在开关时产生的高频开关噪声将沿着电源线传播。去耦电容的主要功能就是提供一个局部的直流电源给有源器件，以减少开关噪声在板上的传播和将噪声引导到地线上。 大电容由于容量大，所以体积一般也比较大，且通常使用多层卷绕的方式制作，这就导致了大电容的分布电感比较大（也叫等效串联电感，英文简称ESL）。 电感对高频信号的阻抗是很大的，所以，大电容的高频性能不好。而一些小容量电容则刚刚相反，由于容量小，因此体积可以做得很小（缩短了引线，就减小了ESL，因为一段导线也可以看成是一个电感的），而且常使用平板电容的结构，这样小容量电容就有很小ESL这样它就具有了很好的高频性能，但由于容量小的缘故，对低频信号的阻抗大。 所以，如果我们为了让低频、高频信号都可以很好的通过，就采用一个大电容再并上一个小电容的方式。

电容器因其容抗随频率增高而下降，在电源电路和信号电路中起到了高频旁路作用。电容器的容抗为： Xc=1/ωC 式中Xc为电容的容抗值、ω为信号的角频率、C为电容量。从容抗表达式中看出，随着频率的升高，容抗的数值在下降。 在电源电路或交流放大电路中，一些直流、低频信号中混杂了一些不需要的高频信号，对电路形成了一些不良干扰，这是可以在这些易干扰之处至地间接一个电容，该电容对高频信号由于容抗很小而相当于出在短路状态，从而大大削弱了高频信号的干扰。 在一些大电解电容滤波电路中，由于大电解电容在高频是品质因数的下降，因此对高频信号的旁路作用下降，为此需要在其边上再并联一个相对容量较小的高频旁路电容。