“接触对”导体件呈现的电阻成为接触电阻。 一般要求接触电阻在10-20mohm以下。有的开关则要求在100-500uohm以下。有些电路对接触电阻的变化很敏感。应该指出，开关的接触电阻是在开关在若干次的接触中的所允许的接触电阻的 大值。 在电路板上是专指金手指与连接器之接触点，当电流通过时所呈现的电阻之谓。为了减少金属表面氧化物的生成，通常阳性的金手指部份，及连接器的阴性卡夹子皆需镀以金属，以抑抵其“接载电阻”的发生。其他电器品的插头挤入插座中，或导针与其接座间也都有接触电阻存在。 工作用原理 在显微镜下观察连接器接触件的表面，尽管镀金层十分光滑，则仍能观察到5-10微米的凸起部分。会看到插合的一对接触件的接触，并不整个接触面的接触，而是散布在接触面上一些点的接触。实际接触面必然小于理论接触面。根据表面光滑程度及接触压力大小，两者差距有的可达几千倍。实际接触面可分为两部分；一是真正金属与金属直接接触部分。即金属间无过渡电阻的接触微点，亦称接触斑点，它是由接触压力或热作用破坏界面膜后形成的。部分约占实际接触面积的5-10%。二是通过接触界面污染薄膜后相互接触的部分。因为任何金属都有返回原氧化物状态的倾向。实际上，在大气中不存在真正洁净的金属表面，即使很洁净的金属表面，一旦暴露在大气中，便会很快生成几微米的初期氧化膜层。例如铜只要2-3分钟，镍约30分钟，铝仅需2-3秒钟，其表面便可形成厚度约2微米的氧化膜层。即使特别稳定的贵金属金，由于它的表面能较高，其表面也会形成一层有机气体吸附膜。此外，大气中的尘埃等也会在接触件表面形成沉积膜。因而，从微观分析任何接触面都是一个污染面。 综上所述，真正接触电阻应由以下几部分组成；1）集中电阻电流通过实际接触面时，由于电流线收缩（或称集中）显示出来的电阻。将其称为集中电阻或收缩电阻。

容量和耐压 首先对于电容来讲， 重要的是容量和耐压两个参数。这两个参数关系到设计是不是能实现所需要的功能。 从容量上来讲， 电容一骑绝尘，但在上一篇也说了， 电容的使用上有诸多特殊的点需要注意，而且耐压过低，在我们电子产品的设计中一般不会作为一种选择。其次就是铝电解电容。在电解电容的领域内，铝电解电容拥有着 的耐压范围。所以在很多输入电压要求较高的地方，铝电解电容也是不可替代的。其余的电解电容容量与耐压相差没有数量级上的差距。 陶瓷电容和薄膜电容作为无极性电容，耐压在所有的电容中可以做到 ，比如在很多外部接口的静电防护中，一般都会用M和薄膜电容来做设计。但这两者容量也比较低，一般会通过大量的并联来提高总的容量。 各种电容的耐压和容量的对比大致如下图所示。 ESR ESR作为如此重要的一个参数反复提起，但如果对PI没有了解的话对于ESR很难有感性直接的认识。 在PI的设计中，ESR是除容量之外的一个 重要的因素。 篇介绍了电容的阻抗曲线，电容谐振点的 值就由ESR决定。也是ESR决定了电源轨在频域上的阻抗能到多低。 关于电源的PI设计，会有一些基本的理论知识需要掌握，有兴趣的可以往前翻翻，有两篇PDN设计的文章。这里只简单说几条结论。 1、地弹产生的原因是电源轨在频域上的阻抗过高导致的2、电源ripple是由ΔI和电源轨阻抗引起的3、电容的ESR决定了电源轨的阻抗大小关于ESR，也有一些很有趣的东西。ESR表示的是串联等效电阻。参考上上一片电容简介里面的电容模型图，正负电极形成了电容，而从引线到正负电极的等效电阻就是ESR。对于M而言，ESR来源于引线和陶瓷介质。在相同封装下，容量越大，叠层越多，ESR就越低；相同容量，封装越大，陶瓷介质的长度就越长，ESR就越高。 对于电解电容来讲，就稍微复杂一些。电解电容的正极是金属电极，在金属电极上通过化成形成一层氧化层，这层氧化层就是正极，所以正极的电阻来源于金属电极的电阻；电解电容的负极是电解质，电解质与氧化膜之间绝缘的特性形成了电容，所以负极的等效电阻来源于负极的引线和电解质的电导率。 综合来看，M由于其结构和制作工艺的优异性，有所有电容无可比拟的 的ESR，对于电解电容来讲，其ESR的差异主要决定于其使用的阴极电解质的电导率。在这其中，SP-CAP的ESR 。