云母电容的技术参数

云母是一种极为重要的优良的无机绝缘材料。作为介质材料，迄今尚未发现其它材料的综合性能可以超过云母。云母的优点是介电强度高，介电常数大，损耗小，化学稳定性高，耐热性好，易于剥离成厚度均匀的薄片，具有优良的机械性能，可以装配成叠片式的电容器。云母电容器是以天然云母为介质的电容器，正是由于云母介质的优异性能，使得云母电容器具有以下优点： （1）损耗小：容量小于或等于80pF时，损耗在（10~30）×10-4范围内，容量大于82pF时，损耗都在10×10-4以下， 小可达3×10-4以下，即使在很高的温度下，损耗仍在允许范围内；（2）容量温度和时间稳定性好：温度系数 的可稳定在±10×10-6/K范围内，在规定的贮存条件下，贮存14年后，其容量变化不超过±1%；（3）高频特性优良：因其固有电感小，云母电容器可以在较高的频率下工作，实验证明，金属包封的这种电容器 工作频率可达600MHz。 （4）精度高：一般可达到±1%、±2%、±5%， 精度可达到±0.01%；（5）耐热性好：在外封装材料允许的条件下，可以生产200℃以上的高温云母电容器；云母电容器不仅广泛用于电子、电力和通讯设备的仪器仪表中，而且还用于对稳定性和可靠性要求很高的航天、航空、航海、火箭、卫星、军用电子装备以及石油勘探设备中。 云母电容作为一种无极性电容，与一般无极性电容相比有很大的优点，可以说是无极性电容中 的一种。容量一般在4.7-51000pF之间，精度可以达到±0.01［%］-±0.03［%］，这是一般电容难以达到的（相比一些低频瓷介电容还有一些铝电解电容，容值精度一般是±20［%］， 多可以达到±50［%］。）云母电容直流耐压一般在100-5KV， 达到40KV。与 的以耐压高著称的CBB有的一拼，比一般的无极性瓷介电容高得多。 云母电容温度系数小，一般可以达到1*10^（-6）/℃以内，比一般有机薄膜电容（比如涤纶电容）要好得多，跟瓷介电容相比更是一个天上，一个地下。 云母电容可以工作在高温环境中， 环境温度可以达到460℃，远远超过一般瓷介电容（这种电容 大的弊端就是温度特性差），一般的铝电解电容只能工作在105℃。 长期存放的云母电容容量变化在0.01［%］-0.02［%］之间，也优于一般电容。 如果要做高质量、高精度、高稳定性的模拟电路，云母电容是不二的选择。在 电路比如价格几万到几十万的Hi-Fi音响里，基本上用的也都是云母电容。

旁路电容定义

可将混有高频电流和低频电流的交流信号中的高频成分旁路掉的电容，称做“旁路电容”。 例如当混有高频和低频的信号经过放大器被放大时，要求通过某一级时只允许低频信号输入到下一级，而不需要高频信号进入，则在该级的输出端加一个适当大小的接地电容，使较高频率的信号很容易通过此电容被旁路掉（这是因为电容对高频阻抗小），而低频信号由于电容对它的阻抗较大而被输送到下一级放大旁路是把前级或电源携带的高频杂波或信号滤除；去藕是为保正输出端的稳定输出（主要是针对器件的工作）而设的“小水塘”，在其他大电流工作时保证电源的波动范围不会影响该电路的工作；补充一点就是所谓的藕合：是在前后级间传递信号而不互相影响各级静态工作点的元件对于同一个电路来说，旁路（bypass）电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，而去耦（decoupling，也称退耦）电容是把输出信号的干扰作为滤除对象。 相关作用 去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另外一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是0.1uf.这个电容的分布电感的典型值是5uh.0.1uh的去耦电容有5uh的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHZ左右，并行共振频率在20MHZ以上，去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加哟pain充放电电容或者一个蓄能电容，可选10uf左右。 不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。去耦电容的选用并不严格，大概10MHZ取0.1UUF，100MHZ取0.01UF。 去耦电容电路电源和地之间的有两个作用 一方面是集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。 数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说，对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10μF左右。 不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。 去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。 去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。旁路电容实际也是去耦合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。 高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般是0.1u，0.01u等，而去耦合电容一般比较大，是10u或者更大，依据电路中分布参数，以及驱动电流的变化大小来确定。 滤波可以选用电解电容，旁路可以选用涤纶、纸介、陶瓷、电解等电容。