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浅谈高压贴片电容分类与性能参数
关于贴高压片电容,他其实还有一个名字,称之为陶瓷多层片式电容器,可以视其为一种用陶瓷粉的生产工艺,其内部为贵金属钯金构造,它是通过高温烧结法将银镀在陶瓷上作为电极而制成。产品分为高频瓷介NP0(COG)和低频瓷介X7R两种材质。NP0以小著称,只有很小的封装体积,是能够高耐温度系数的电容,而且高频性能好的特点,所以NP0几乎用于高稳定振荡回路中,从而作为电路滤波电容。X7R瓷介电容器限于在工作普通频率的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合,这种电容器不宜使用在交流(AC)脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿,所以不建义使用在交流电路中。 温度补偿型:NP0质NP0又名COG电气性能 稳定,基本上不随温度、电压、时间的改变,属超稳定型、低损耗电容材料类型,适用在对稳定性、可靠性要求较高的高频、特高频、甚高频电路中。 高介电常数型X7R介质:X7R是一种强电介质,因而能制造出容量比NPO介质更大的电容器。这种电容器性能较稳定,随温度、电压时间的改变,其特有的性能变化并不显著,属稳定电容材料类型,使用在隔直、耦合、傍路、滤波电路及可靠性要求较高的中高频电路中。 半导体型X5R介质:X5R具有较高的介电常数,常用于生产比容较大、标称容量较高的大容量电容器产品。但其容量稳定性较X7R,容量、损耗对温度、电压等测试条件较敏感,主要用在电子整机中的振荡、耦合、滤波及傍路电路中。 优点:封装体积小,质量稳定,绝缘性能高,耐高压缺点:容量较小,目前 大UF,易于被脉冲电压击穿。 性能参数 材质NP0(COG).X7R.X5R.Y52.容量0.1PF-PF-1NF-1UF-UF3.电压6.3--1K-2K-5K4.封装----应用范围:产品广泛用于模块电源、汽车电子,通讯电源,LED照明电源等领域,有着广阔的应用发展前景硬件类一般都上硬之城看那里比较专业,专业的问题专业解决,这是 快的也是 的方法,好过自己瞎搞,因为电子元器件的电子型号那些太多了一不小心就会弄错,所以还是找专业的帮你解决。

共模电感模型
注释:RW表示绕组等效电阻,RC为磁心等效电阻;C1为绕组匝间的寄生电容;C2为两个绕组间的寄生电容---什么是共模电感 共模电感是一个以铁氧体等为磁芯的共模干扰抑制器件,它由两个尺寸相同,匝数相同的线圈对称地绕制在同一个铁氧体环形磁芯上,线圈的绕制方向相反,形成一个四端器件。当两线圈中流过差模电流时,产生两个相互抵消的磁场H1、H2,此时工作电流主要受线圈欧姆电阻以及可以忽略不计的工作频率下小漏感的阻尼,所以差模信号可以无衰减地通过,如上图所示;而当流过共模电流时,磁环中的磁通相互叠加,从而具有相当大的电感量,线圈即呈现出高阻抗,产生很强的阻尼效果,达到对共模电流的抑制作用。因此共模电感在平衡线路中能有效地抑制共模干扰信号,而对线路正常传输的差模信号无影响。 共模电感的特性 共模电感的阻抗特性 共模电感具有极高的初始导磁率,在地磁场下具有大的阻抗和插入损耗,对若干扰具有极好的抑制作用,在较宽的频率范围内呈现出无共振插入损耗特性。 高初始导磁率:是铁氧体的5-20倍,因而具有更大的插入损耗,对传导干扰的抑制作用远大于铁氧体。 高饱和磁感应强度:比铁氧体高2-3倍。在电流强干扰的场合不易磁化到饱和。 的温度稳定性:较高的居里温度,在有较大温度波动的情况下,合金的性能变化率明显低于铁氧体,具有优良的稳定性,而且性能的变化接近于线性。 灵活的频率特性:而且更加灵活地通过调整工艺来得到所需要的频率特性。通过不同的制造工艺,配合适当的线圈炸熟可以得到不同的阻抗特性,满足不同波段的滤波要求,使其阻抗值大大高于铁氧体。 应用范围:电网共模干扰滤除和电子设备和电子仪器抗冲击干扰。


