共模电感的原理

共模电感的滤波电路，La和Lb就是共模电感线圈。这两个线圈绕在同一铁芯上，匝数和相位都相同（绕制反向）。这样，当电路中的正常电流流经共模电感时，电流在同相位绕制的电感线圈中产生反向的磁场而相互抵消，此时正常信号电流主要受线圈电阻的影响；当有共模电流流经线圈时，由于共模电流的同向性，会在线圈内产生同向的磁场而增大线圈的感抗，使线圈表现为高阻抗，产生较强的阻尼效果，以此衰减共模电流，达到滤波的目的。 事实上，将这个滤波电路一端接干扰源，另一端接被干扰设备，则La和C1，Lb和C2就构成两组低通滤波器，可以使线路上的共模EMI信号被控制在很低的电平上。该电路既可以抑制外部的EMI信号传入，又可以衰减线路自身工作时产生的EMI信号，能有效地降低EMI干扰强度。国内生产的一种小型共模电感，采用高频之杂讯抑制对策，共模扼流线圈结构，讯号不衰减，体积小、使用方便，具有平衡度佳、使用方便、高品质等优点。广泛使用在双平衡调音装置、多频变压器、阻抗变压器、平衡及不平衡转换变压器等。 共模电感的作用 共模电感在电源模块输入端的作用 共模电感是指两个线圈绕在同一铁芯上，且绕制相反、匝数和相位都相同。常用于开关电源中过滤共模的电磁干扰信号，EMI滤波用于抑制高速信号线产生的电磁波向外辐射发射。 电源模块输入端加共模电感一般是为了减少辐射、降低高频共模噪音。其对共模噪音有明显的抑制作用，工作原理是当共模电流通过元件时，两个电感的电感量会叠加。但是对于差模噪音，两个电感量相当于取差，电感值减小，抑制效果会削弱。 共模电感的大小会直接影响到EMC性能，主要作用是可以隔离共模信号，衰减外部共模干扰，从而降低对电源的影响。还可以衰减内部共模信号，降低对电网的影响。但是共模电感感量大对低频骚扰的抑制效果好，对高频却可能会变差，而感量小了对低频骚扰抑制效果差。 我们常见于电源模块输入端都有加X电容、Y电容和一个共模电感，电容对信号来说是低阻抗，起到旁路和去耦信号的作用。电感对信号来说是高阻抗，起到反射和吸收高频干扰信号的作用。 两根电源线对地之间干扰叫共模干扰，两根电源线之间的干扰叫差模干扰，当电感和电容组合成滤波器，可以使滤波效果更好，电感电容起作用的频段也会不同。和Y电容起到滤除共模干扰的作用，X电容主要是短路信号的作用，减小差模信号流过的路径，进而减少电路中寄生参数引起的震荡造成高频发射。 当在设计时减去电感或者电容，剩下的部分还是起作用的，不过效果会差很多。一般来说，共模阻抗越大越好，在选择共模电感时主要根据阻抗频率曲线选择，同时需要注意考虑差模阻抗对信号的影响。

直流动态电阻该如何区别

半导体二极管是一种非线性器件，它对直流和交流（或者说动态量）呈现出不同的等效电阻。二极管的直流电阻是其工作在伏安特性上某一点时的端电压与其电流之比。 图（a）电路（b）二极管伏安特性和工作点Q（c）二极管的直流电阻在直流电源V的作用下，对应于二极管电流ID和二极管两端电压UD的点称为静态工作点，该点对应的直流电阻为图（a）电路（b）二极管伏安特性（c）二极管的动态电阻若在Q点的基础上外加微小的低频信号，二极管两端产生的电压变化量和电流变化量如图（b）中所标注，则此时的二极管可等效成一个动态电阻rd，根据二极管的电流方程可得rd是用以Q点为切点的切线斜率的倒数。显然，Q点在伏安特性上的位置不同，rd的数值将不同。根据二极管的电流方程可得： 因此 ID为静态电流，常温下UT=26mV。可知，静态电流ID越大，rd将越小。设UD=0.7V时，ID=2mA。由此可得直流电阻RD=350，而动态电阻（交流电阻）可见二者相差甚远，切不可混淆。 根据上面的解释，应该很容易理解用普通万用表的电阻档对二极管进行测量时，所测到的电阻值应该表示二极管的直流电阻而非动态电阻。 同时，用普通万用表的欧姆档去测量二极管的正向电阻时，由于表的内阻不同，使测量时流过管子的电流大小不同，也就是工作点的位置不同，故测得的RD值也不同。 LED限流电阻阻值如何确定 普通的发光二极管正偏压降红色为1.6V，黄色为1.4V左右，蓝白为至少2.5V。工作电流5－10mA左右超亮发光二极管主要有三种颜色，然而三种发光二极管的压降都不相同，具体压降参考值如下： 红色发光二极管的压降为2.0--2.2V 黄色发光二极管的压降为1.8—2.0V 绿色发光二极管的压降为3.0—3.2V 正常发光时的额定电流约为20mA。 估计你说的是超亮二极管吧，限流电阻计算如下：U为工作电压串联R＝（U－LED压降＊18）／20mA并联R＝（U－LED压降）／（20*18mA）----什么是电阻的高频工作模式 电阻器在高频场合中使用时，必须考虑电阻器固有电感和固有电容的影响。此时电阻器的等效电路相当于一个直流电阻Ro与分布电感LR串联，然后再与分布电容CR并联，如图所示。 一般情况下，非线绕电阻器的高频分布参数较小，LR为0.01-0.09μH，CR为0.1-5pF。线绕电阻器的高频分布参数较大，LR为几十微亨，CR为几十皮法。