可调合金电阻常见故障和检测方法

可调合金电阻器的故障发生率比普通合金电阻高得多，主要故障有下列一些： 1.可调合金电阻器动片与碳膜之间接触不良，造成动片与碳膜的接触合金电阻增大。 2.可调合金电阻的碳膜破损或烧坏，此时动片与碳膜之间的接触不良，或根本不能接触上。 3.可变合金电阻器的引脚断裂。 可调合金电阻检测方法 可调合金电阻器的检测方法同合金电阻器的检测方法基本一样，用欧姆档测量有关引脚之间的阻值大小，测量可以在电路板上直接进行，也可以将可调合金电阻器脱开电路后单独测量。 由于可调合金电阻的特殊性，在检测过程中需注意一下几个方面。 1.若测量动片与某个定片之间的阻值为0欧姆，则此时应看动片是否已转动至所测定片这侧的端点，不然可以认为可调合金电阻器已经损坏（在路测量时要排除外电路的影响）。 2.若测量动片与任一定片之间的阻值已大于标称阻值，则说明可调合金电阻已经出现开路故障。 3.测量中，测量动片与某一定片之间的阻值小于标称阻值，并不能说明可调合金电阻器已经损坏，而应该看动片此时处于说明位置，这一点与普通合金电阻器不同。 4.脱开测量时，可用万用表欧姆档的适当量程，一支表棒接动片一支表棒接某一个定片，再用瓶口旋具顺时针或逆时针缓慢旋转动片，此时表针应从0欧姆连续变化到标称阻值。同样方法再测量另一个定片与动片之间的阻值变化情况，测量方法和测量结果应相同。这样，说明可调合金电阻器是好的，否则可调合金电阻已经损坏。

瓷片电容、独石电容、陶瓷电容的区别

独石电容、瓷片电容、陶瓷电容都是常见的电容元器件之一，独石电容比较稳定，问温漂系数小，电容值可以做到1uF，寿命长，等效直流电阻小，价格稍贵。 瓷片电容的高频特性好，但电容值 大只能做到0.1uF。瓷片电容也属于陶瓷电容的一种，陶瓷电容是总称。瓷片电容是一种用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。 而陶瓷电容用用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。 瓷片电容（ceramapacitor）是一种用陶瓷材料作介质，在陶瓷表面涂覆一层金属薄膜，再经高温烧结后作为电极而成的电容器。通常用于高稳定振荡回路中，作为回路、旁路电容器及垫整电容器。瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中，因为它们易于被脉冲电压击穿。 优点：稳定，绝缘性好，耐高压 缺点：容量比较小 独石电容： 独石电容是多层陶瓷电容器的别称，英文名称简称M，根据所使用的材料，可分为三类。 一类为温度补偿类NPO电介质这种电容器电气性能 稳定，基本上不随温度、电压、时间的改变，属超稳定型、低损耗电容材料类型，适用在对稳定性、可靠性要求较高的高频、特高频、甚高频电路中。 二类为高介电常数类X7R电介质由于X7R是一种强电介质，因而能制造出容量比NPO介质更大的电容器。这种电容器性能较稳定，随温度、电压时间的改变，其特有的性能变化并不显著，属稳定电容材料类型，使用在隔直、耦合、傍路、滤波电路及可靠性要求较高的中高频电路中。 三类为半导体类Y5V电介质这种电容器具有较高的介电常数，常用于生产比容较大、标称容量较高的大容量电容器产品。但其容量稳定性较X7R差，容量、损耗对温度、电压等测试条件较敏感，主要用在电子整机中的振荡、耦合、滤波及旁路电路中。 特点：温度特性好，频率特性好。一般电容随着频率的上升，电容量呈现下降的规律，独石电容下降比较少，容量比较稳定。 陶瓷电容： 陶瓷电容用用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器，用于高稳定振荡回路中，作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用，或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。