【产品用途】各种大功率开关电源、UPS电源、转换电源
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独石电容器是多层陶瓷电容器的别称，简称M，广泛应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。 简单的平行板电容器的基本结构是由一个绝缘的中间介质层加外两个导电的金属电极，基本结构如下： 因此，多层片式陶瓷电容器的结构主要包括三大部分：陶瓷介质，金属内电极，金属外电极。而多层片式陶瓷电容器它是一个多层叠合的结构，简单地说它是由多个简单平行板电容器的并联体。 作为电子行业的基础元件，独石电容使用的范围越来越广，广泛地应用于各种军民用电子整机和电子设备。如电脑、电话、程控交换机、精密的测试仪器、雷达通信等。在诸多的电子产品或者是电源电路中都是必不可缺的。我们一起来了解下独石电容的优点以及缺点吧。独石电容 大的缺点是温度系数很高。独石电容有以下几个特点1、电容量大，稳定，容量范围是10pF~10uF；2、体积小，比CBB电容体积还小；3、耐高温耐湿性好；4、温漂系数小，而瓷片电容的特点是： 5、体积小，高频特性好； 6、比独石电容耐压高； 7、容量小， 大只有0.1uF。 综合以上独石电容的特点以看出其优点有很多，简单概括就是电容量大，体积小，可靠性高，电容量稳定，耐高温耐湿性好等。正是因为具备这些优点，所以独石电容广泛应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振，耦合，滤波，旁路。 由于独石电容具备的以上优点，独石电容器不仅可替代云母电容器和纸介电容器，还取代了某些钽电容器，广泛应用在小型和超小型电子设备中。 独石电容的缺点是温度系数很高，做振荡器的稳漂让人受不了，假如做一个555振荡器，电容刚好在7805旁边，开机后用示波器看频率，就会发生变化，而如果换成涤纶电容就好很多。 就温漂而言，独石为正温糸数+130左右，CBB为负温系数-230，用适当比例并联使用，可使温漂降到很小。就价格而言，钽，铌电容昀贵，独石，CBB较便宜，瓷片昀低，但有种高频零温漂黑点瓷片稍贵，云母电容Q值较高也稍贵。 独石电容比一般瓷介电容器大（10pF~10μF），且电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定，耐高温，绝缘性好，成本低等优点，因而得到广泛的应用。独石电容器不仅可替代云母电容器和纸介电容器，还取代了某些钽电容器，广泛应用在小型和超小型电子设备（如液晶手表和微型仪器）中。 独石电容的有点与缺点决定了独石电容适用范围，因此对于采购人员来说，了解和掌握这些相关的优缺点是很重要的，无论是对于哪种类型的电容优缺点都是需要掌握的，这对于采购来说，会带来诸多的便捷。 独石电容的应用范围十分广泛，在诸多的电子产品或者是电源电路中都是必不可缺的。而这正是因为独石电容的有点所在，在这些有点的作用下促进了这一类型电容在销售市场的地位。
电容为基本物理量，符号C，单位为F（法拉）。电容器与电容不同，电容器，通常简称其容纳电荷的本领为电容，用字母C表示。定义1：电容器，顾名思义，是‘装电的容器’，是一种容纳电荷的器件。英文名称：capacitor。电容器是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于电路中的隔直通交，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制等方面。定义2：电容器，任何两个彼此绝缘且相隔很近的导体（包括导线）间都构成一个电容器。 耦合电容，又称电场耦合或静电耦合，是由于分布电容的存在而产生的一种耦合方式。耦合电容器是使得强电和弱电两个系统通过电容器耦合并隔离，提供高频信号通路，阻止工频电流进入弱电系统，保证人身安全。带有电压抽取装置的耦合电容器除以上作用外，还可抽取工频电压供保护及重合闸使用，起到电压互感器的作用。耦合方法有多种。 去耦电容是电路中装设在元件的电源端的电容，此电容可以提供较稳定的电源，同时也可以降低元件耦合到电源端的噪声，间接可以减少其他元件受此元件噪声的影响。 在电子电路中，去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用，电容所处的位置不同，称呼就不一样了。对于同一个电路来说，旁路（电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，而去耦电容也称退耦电容，是把输出信号的干扰作为滤除对象。去耦电容用在放大电路中不需要交流的地方，用来消除自激，使放大器稳定工作。 将两个或两个以上的电路连接起来并使之相互影响的方法，称为耦合。这种连接而成的网络称为耦合电路。 常见的耦合方式有阻容耦合，变压器耦合，直流耦合和交流耦合。 去耦专指去除芯片电源管脚上的噪声，该噪声是芯片本省工作产生的。 在直流电源回路中，负载的变化会引起电源噪声。例如在数字电路中，当电路从一个状态转换为另一种状态时，就会在电源线上产生一个很大的尖峰电流，形成瞬变的噪声电压。配置去耦电容可以抑制因负载变化而产生的噪声，是印制电路板的可靠性设计的一种常规做法，配置原则如下： 电源输入端跨接一个10～100uF的电解电容器，如果印制电路板的位置允许，采用100uF以上的电解电容器的抗干扰效果会更好。 为每个集成电路芯片配置一个0.01uF的陶瓷电容器。如遇到印制电路板空间小而装不下时，可每4～10个芯片配置一个1～10uF钽电解电容器，这种器件的高频阻抗特别小，在500kHz～20MHz范围内阻抗小于1Ω，而且漏电流很小（0.5uA以下）。 对于噪声能力弱、关断时电流变化大的器件和ROM、RAM等存储型器件，应在芯片的电源线（）和地线（GND）间直接接入去耦电容。 去耦电容的引线不能过长，特别是高频旁路电容不能带引线。
