独石电容器是多层陶瓷电容器的别称，简称M，广泛应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。 简单的平行板电容器的基本结构是由一个绝缘的中间介质层加外两个导电的金属电极，基本结构如下： 因此，多层片式陶瓷电容器的结构主要包括三大部分：陶瓷介质，金属内电极，金属外电极。而多层片式陶瓷电容器它是一个多层叠合的结构，简单地说它是由多个简单平行板电容器的并联体。 作为电子行业的基础元件，独石电容使用的范围越来越广，广泛地应用于各种军民用电子整机和电子设备。如电脑、电话、程控交换机、精密的测试仪器、雷达通信等。在诸多的电子产品或者是电源电路中都是必不可缺的。我们一起来了解下独石电容的优点以及缺点吧。独石电容 大的缺点是温度系数很高。独石电容有以下几个特点1、电容量大，稳定，容量范围是10pF~10uF；2、体积小，比CBB电容体积还小；3、耐高温耐湿性好；4、温漂系数小，而瓷片电容的特点是： 5、体积小，高频特性好； 6、比独石电容耐压高； 7、容量小， 大只有0.1uF。 综合以上独石电容的特点以看出其优点有很多，简单概括就是电容量大，体积小，可靠性高，电容量稳定，耐高温耐湿性好等。正是因为具备这些优点，所以独石电容广泛应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振，耦合，滤波，旁路。 由于独石电容具备的以上优点，独石电容器不仅可替代云母电容器和纸介电容器，还取代了某些钽电容器，广泛应用在小型和超小型电子设备中。 独石电容的缺点是温度系数很高，做振荡器的稳漂让人受不了，假如做一个555振荡器，电容刚好在7805旁边，开机后用示波器看频率，就会发生变化，而如果换成涤纶电容就好很多。 就温漂而言，独石为正温糸数+130左右，CBB为负温系数-230，用适当比例并联使用，可使温漂降到很小。就价格而言，钽，铌电容昀贵，独石，CBB较便宜，瓷片昀低，但有种高频零温漂黑点瓷片稍贵，云母电容Q值较高也稍贵。 独石电容比一般瓷介电容器大（10pF~10μF），且电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定，耐高温，绝缘性好，成本低等优点，因而得到广泛的应用。独石电容器不仅可替代云母电容器和纸介电容器，还取代了某些钽电容器，广泛应用在小型和超小型电子设备（如液晶手表和微型仪器）中。 独石电容的有点与缺点决定了独石电容适用范围，因此对于采购人员来说，了解和掌握这些相关的优缺点是很重要的，无论是对于哪种类型的电容优缺点都是需要掌握的，这对于采购来说，会带来诸多的便捷。 独石电容的应用范围十分广泛，在诸多的电子产品或者是电源电路中都是必不可缺的。而这正是因为独石电容的有点所在，在这些有点的作用下促进了这一类型电容在销售市场的地位。

去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF.这个电容的分布电感的典型值是5μH.0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说，对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用.1μF、10μF的电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10μF左右。 不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF. 分布电容是指由非形态电容形成的一种分布参数。一般是指在印制板或其他形态的电路形式，在线与线之间、印制板的上下层之间形成的电容。这种电容的容量很小，但可能对电路形成一定的影响。在对印制板进行设计时一定要充分考虑这种影响，尤其是在工作频率很高的时候。也成为寄生电容，制造时一定会产生，只是大小的问题。布高速PCB时，过孔可以减少板层电容，但会增加电感。 分布电感是指在频率提高时，因导体自感而造成的阻抗增加。 耦合电容，又称电场耦合或静电耦合，是由于分布电容的存在而产生的一种耦合方式。耦合电容器是使得强电和弱电两个系统通过电容器耦合并隔离，提供高频信号通路，阻止低频电流进入弱电系统，保证人身安全。带有电压抽取装置的耦合电容器除以上作用外，还可抽取工频电压供保护及重合闸使用，起到电压互感器的作用。