可将混有高频电流和低频电流的交流信号中的高频成分旁路掉的电容，称做“旁路电容”。 例如当混有高频和低频的信号经过放大器被放大时，要求通过某一级时只允许低频信号输入到下一级，而不需要高频信号进入，则在该级的输出端加一个适当大小的接地电容，使较高频率的信号很容易通过此电容被旁路掉（这是因为电容对高频阻抗小），而低频信号由于电容对它的阻抗较大而被输送到下一级放大旁路是把前级或电源携带的高频杂波或信号滤除；去藕是为保正输出端的稳定输出（主要是针对器件的工作）而设的“小水塘”，在其他大电流工作时保证电源的波动范围不会影响该电路的工作；补充一点就是所谓的藕合：是在前后级间传递信号而不互相影响各级静态工作点的元件对于同一个电路来说，旁路（bypass）电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，而去耦（decoupling，也称退耦）电容是把输出信号的干扰作为滤除对象。 相关作用 去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另外一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是0.1uf.这个电容的分布电感的典型值是5uh.0.1uh的去耦电容有5uh的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHZ左右，并行共振频率在20MHZ以上，去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加哟pain充放电电容或者一个蓄能电容，可选10uf左右。 不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。去耦电容的选用并不严格，大概10MHZ取0.1UUF，100MHZ取0.01UF。 去耦电容电路电源和地之间的有两个作用 一方面是集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。 数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说，对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10μF左右。 不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。 去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。 去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。旁路电容实际也是去耦合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。 高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般是0.1u，0.01u等，而去耦合电容一般比较大，是10u或者更大，依据电路中分布参数，以及驱动电流的变化大小来确定。 滤波可以选用电解电容，旁路可以选用涤纶、纸介、陶瓷、电解等电容。

1、单位体积的电容量非常大，比其它种类的电容大几十到数百倍。 2、额定的容量可以做到非常大，可以轻易做到几万μf甚至几f（但不能和双电层电容比）。 3、价格比其它种类具有压倒性优势，因为电解电容的组成材料都是普通的工业材料，比如铝等等。制造电解电容的设备也都是普通的工业设备，可以大规模生产，成本相对比较低。 贴片电解电容器缺点是介质损耗、容量误差较大（ 大允许偏差为+100%、-20%），耐高温性较差，存放时间长容易失效。 贴片电容可分为无极性和有极性两类，无极性电容下述两类封装 为常见，即0805、0603;而有极性电容也就是我们平时所称的电解电容，一般我们平时用的 多的为铝电解电容和贴片电容，在一个电路板组成的电路中，常需要考虑价格和性能方面的因素，不同类型的电容有不同的性能优势，不管贴片的还是插件的电容选择合适你自己的才是 的。 贴片电解电容的标识方法 贴片电解电容的标识方法主要有以下三种： ①采用三位数进行标注，单位为pF。前两位为有效数字，后一位为有效数字乘以10的幂次，如475表示47×105pF，即4．7uF。 ②直接进行标注，表示的参数主要有容量和耐压值，如10V6表示电解电容的容量为10uF，耐压为6V。 ③使用代码法，通常由一个字母和三个数字组成，字母表示电解电容的耐压值，数字用来标明电容量，单位为pF。前两位数字表示电容量的有效数字，第三位数字表示有效数字乘以10的幂次。贴片电解电容上面的指示条标明此端为电解电容的正极。贴片电解电容代码中的字母与耐压值的关系见下表。 例如，若某一电解电容的代码为A475，则A表示耐压值为10V，47表示电容量的有效数字为47．5表示105。