可将混有高频电流和低频电流的交流信号中的高频成分旁路掉的电容，称做“旁路电容”。 例如当混有高频和低频的信号经过放大器被放大时，要求通过某一级时只允许低频信号输入到下一级，而不需要高频信号进入，则在该级的输出端加一个适当大小的接地电容，使较高频率的信号很容易通过此电容被旁路掉（这是因为电容对高频阻抗小），而低频信号由于电容对它的阻抗较大而被输送到下一级放大旁路是把前级或电源携带的高频杂波或信号滤除；去藕是为保正输出端的稳定输出（主要是针对器件的工作）而设的“小水塘”，在其他大电流工作时保证电源的波动范围不会影响该电路的工作；补充一点就是所谓的藕合：是在前后级间传递信号而不互相影响各级静态工作点的元件对于同一个电路来说，旁路（bypass）电容是把输入信号中的高频噪声作为滤除对象，把前级携带的高频杂波滤除，而去耦（decoupling，也称退耦）电容是把输出信号的干扰作为滤除对象。 相关作用 去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另外一方面旁路掉该器件的高频噪声。数字电路中典型的去耦电容值是0.1uf.这个电容的分布电感的典型值是5uh.0.1uh的去耦电容有5uh的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHZ左右，并行共振频率在20MHZ以上，去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加哟pain充放电电容或者一个蓄能电容，可选10uf左右。 不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。去耦电容的选用并不严格，大概10MHZ取0.1UUF，100MHZ取0.01UF。 去耦电容电路电源和地之间的有两个作用 一方面是集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。 数字电路中典型的去耦电容值是0.1μF。这个电容的分布电感的典型值是5μH。0.1μF的去耦电容有5μH的分布电感，它的并行共振频率大约在7MHz左右，也就是说，对于10MHz以下的噪声有较好的去耦效果，对40MHz以上的噪声几乎不起作用。1μF、10μF的电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频噪声的效果要好一些。每10片左右集成电路要加一片充放电电容，或1个蓄能电容，可选10μF左右。 不用电解电容，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。 去耦电容在集成电路电源和地之间的有两个作用：一方面是本集成电路的蓄能电容，另一方面旁路掉该器件的高频噪声。 去耦电容的选用并不严格，可按C=1/F，即10MHz取0.1μF，100MHz取0.01μF。旁路电容实际也是去耦合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。 高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般是0.1u，0.01u等，而去耦合电容一般比较大，是10u或者更大，依据电路中分布参数，以及驱动电流的变化大小来确定。 滤波可以选用电解电容，旁路可以选用涤纶、纸介、陶瓷、电解等电容。

在电力电容器的运行中，应注意以下问题：工作电压下的电力电容器对电压非常敏感，因为电容器的损耗与电压的平方成正比，过电压会导致电容器发热严重，加速老化。电容器绝缘，寿命缩短，甚至击穿。电网电压一般应低于电容器本身的额定电压，不超过其额定电压的0%。因此，当工作电压是额定电压的两倍时，必须采取冷却措施。在有磁饱和调节器、大型整流器和电弧炉的电网中安装电力电容器时，其工作电流和谐波问题会在交流中产生高次谐波。 对于第n次谐波，电容器的电抗将为基极/N。因此，电流为谐波对电容器危害很大，很容易使电容器发生故障，引起相间短路。考虑到谐波的存在，规定电容器的工作电流不应超过额定电流的1.3倍。必要时，应在电容器上串联适当的感应电抗器，以限制谐波电流。由于闭合电力电容器组时，特别是高压电容器组，特别是高压电容器与电网连接时，冲击电流较大，因此闭合电力电容器组中的电弧问题会在开关或变换器上出现。在这种情况下，应调整电容器组的电容值或更换转换器。串联电抗器可以用来消除高压电容器。 低压电力电容器容值衰减的原因是什么 1、高温老化 如果运行温度过高，内部的元器件会发生高温老化现象，金属化薄膜会因此使用寿命衰减，容值下降等问题。 2、过电压运行 若过电压运行，运行温度会有一定程度度的升高，若长时间过电压运行，电容器运行温度超出设计范围会缩短电容器使用寿命，同时也会造成容值衰减。 3、过电流运行 目前市场上低压电力电容器大多为自愈式电容器，在过流运行时，内部的金属化薄膜会存在电击穿现象，造成金属化薄膜可用面积减少，容值会微量衰减，若电击穿次过多，会引起容值严重衰减4、超负荷运行虽然低压电力电容器可以超负荷运行，但是都有时间，电压以及电流等限制，若长时间超负荷运行，会造成电容器内部击穿频率过高，温度上升，引起电容器使用寿命缩减，容值严重下降，甚至产生故障。